购物车0
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
High input impedance and high gain

VN2110 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN2110K1-G | Luminus | BIG CHIP LED HB MODULE GREEN | 立即购买 |
最近,有位小仙女又找笔者来推荐笔记本,要求:颜值要高,要很轻,不然拿不动。..
Git是分布式版本控制系统,那么它就没有中央服务器的,每个人的电脑就是一个完整的版本库,这样,工作的时候就不需要联网了,因为版本都是在自己的电脑上。既然每个人的电脑都有一个完整的版本库,那多个人如何协作呢...
10米27MHz CW无线电放大器配备了Siliconix生产的VN66AF晶体管,具有一些优点:价格便宜,介电绝缘性好,增益高。在这里,我们使用VN66AF作为10m频段(26 。..30兆赫)。
在同类型VN设备(如多个1640A)同时使用时,出现再次运行工程时,硬件通道和逻辑通道不匹配的情况。需要手动再次匹配,影响使用体验和效率,此时需要重新“channel mapping”,当涉及到一个测试台架有多个VN设备时,极其影响使用体验,增加工作量。
CVN token将鼓励人人影视社区中的内容创作者产出更多优质内容、获取更多收入和认可,同时增加内容消费者闲置资源的利用率,构建一个内容质量、经济价值、社群活跃度更高的海内外影视内容交流社区。
本文开始介绍看IR2110的特点和IR2110内部功能图,其次详细阐述了IR2110的工作原理,对IR2110自举电路工作原理进行了分析和IR2110栅极电平箝位电路,最后介绍了三款ir2110的应用电路。
IR2110在三相桥式电机驱动电路中的应用电路
本文主要介绍了ir2110中文资料详解_引脚图排列封装及功能_工作原理_内部结构及典型应用电路,IR2110内部功能由三部分组成:逻辑输入;电平平移及输出保护。具有独立的低端和高端输入通道,悬浮电源采用自举电路,工作频率...
| VN1206 | VN2410 | VN2222L | VN2110 |
| VP2110 | VN2460 | VP0550 | VN0300 |
| VN0550 | VN2406 | VP0109 | VS-25TTS12STRLPBF |
| VN2106 | VP0109 | VP0106 | viper12a |
| VP3203 | VP0106 | VN0606 | VP0808 |