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半导体放电管(TSS)

半导体放电管,也称:晶闸管浪涌抑制器,英文:Thyristor surge suppressors(TTS),是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。
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  • 峰值断态电压 V(DRM)

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  • 击穿/转折电压(Vs)

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  • 通态开关电流 Is(@Vs)

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  • 结电容值

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图片原厂型号品牌描述库存参考价格峰值断态电压 V(DRM)峰值断态漏电流 I(DRM)击穿/转折电压(Vs)通态开关电流 Is(@Vs)通态电压 Vt(Max)通态电流 It(Max)通态维持电流(IH)峰值脉冲电流(Ipp)结电容值封装/外壳
P0080SBP0080SBYENJI
台湾元基
半导体放电管 VDRM=6V IPP=250A@10/1000us
数据手册

现货:655

¥0.297

购买
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SMB(DO-214AA)
P0080SAP0080SAYENJI
台湾元基
半导体放电管 VDRM=6V IPP=150A@10/1000us

现货:630

¥0.253

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SMB(DO-214AA)
YBS0060N-CYBS0060N-CYENJI
台湾元基
半导体放电管 VDRM=6V IPP=100A@10/1000us
数据手册

现货:910

¥0.275

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6V
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25V
800mA (Max)
4V
2.2A
50mA
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100pF@1MHz
SMB(DO-214AA)
P0080SCP0080SCKEJU
科炬电子
半导体放电管 VDRM=6V IPP=100A@10/1000us
数据手册

现货:1280

¥0.198

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100A
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DO-214AA(SMB)
P0080TAP0080TAKEJU
科炬电子
半导体放电管 VDRM=6V IPP=35A@10/1000us
数据手册

现货:1220

¥0.121

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6V
5uA
25V
800mA (Max)
4V
2.2A
50mA
35A @10/1000uS
50pF(Max)
DO-214AC(SMA)
WP0640S2CWP0640S2CWPMtek
维攀微
TSPD I=5uA Max VDRM=64V IPP=150A 2Channel
数据手册

现货:50

¥0.767

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SMB(DO-214AA)
WP61065AWP61065AWPMtek
维攀微
RS-458接口芯片防护管 5V 1uA

现货:50

¥0.177

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SMA(DO-214AC)
P0080TVBP0080TVBWPMtek
维攀微
半导体放电管 IPP=60A VRM=6V SMA(DO-214AC)
数据手册

现货:50

¥0.1251

购买
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SMA(DO-214AC)
P0640SCP0640SCWPMtek
维攀微
半导体放电管 Ipp=150A SMB(DO-214AA)
数据手册

现货:10

¥0.2475

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SMB(DO-214AA)
P0300SCP0300SCWPMtek
维攀微
峰值断态电压 V(DRM): 25V 峰值断态漏电流 I(DRM):5uA 击穿/转折电压(Vs):40V 通态维持电流(IH):50mA 峰值脉冲电流(Ipp):150A 结电容值:80pF 封装:SMB(DO-214AA)
数据手册

现货:50

¥0.354

购买
25V
5uA
40V
800mA (Max)
4V
2.2A
50mA
150A
80pF@1MHz
SMB(DO-214AA)
P0080TB-LCP0080TB-LCWPMtek
维攀微
峰值断态电压 V(DRM): 6V 峰值断态漏电流 I(DRM):5uA 击穿/转折电压(Vs):25V 通态维持电流(IH):10mA 峰值脉冲电流(Ipp):100A 结电容值:80pF 封装:SMA(DO-214AC)
数据手册

现货:18

¥0.121

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6V
5uA
25V
800mA (Max)
4V
2.2A
10mA
100A
15pF@1MHz
SMA(DO-214AC)
WP61065ABWP61065ABWPMtek
维攀微
封装:SMB-J
数据手册

现货:50

¥0.0944

购买
±6.5
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70A
80pF@1MHz
SMB-J
P0080SCP0080SCWPMtek
维攀微
半导体放电管 Ipp=150A SMB(DO-214AA)
数据手册

现货:150

询价
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SMB(DO-214AA)
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