VP3203

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MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -30V, 0.6 Ohm

中文数据手册

产品信息

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

High input impedance and high gain

Excellent thermal stability

Integral source-to-drain diode

电路图、引脚图和封装图

VP3203 封装图
VP3203 封装图

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型号	制造商	描述	购买
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