This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
VN2410 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
VN2410L-G-P014 | EDAC | 895 SERIES (.100" (2.54MM) CONTA | 立即购买 |
VN2410L-G-P013 | Vishay | 贴片电阻 0805 407Ω ±0.1% 5/8W ±50ppm/℃ | 立即购买 |
VN2410L-G | Maxim | IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 14SOIC | 立即购买 |
芯森电子VN系列霍尔电压传感器具有优越的电气性能,是一种先进的、能隔离主电路回路和电子控制电路的电检测元件。 它综合了互感器和分流器的所有优点,同时又克服了互感器和分流器的不足(互感器只适用于
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2月26日下午,紫光展锐举办线上新品发布会,联合中国联通推出了一款全新的联通5G CPE VN007,连创四项“第一”,拥有超强性能、超快速度、超高性价比。
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VN2222L | VN2224 | VP2450 | VN0300 |
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VP2206 | VP0550 | VN2450 | VP2450 |
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