FLASH存储器
图片 | 原厂型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 参考价格 | 存储器类型 | 存储器格式 | 技术 | 存储容量 | 时钟频率(Max) | 写周期时间-字,页 | 工作电压(范围) | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 |
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MX25L4006EM1I-12G | MXIC 旺宏电子 | IC FLASH 4MBIT SPI 86MHZ 8SOP 数据手册 | 东莞仓现货:202 长沙仓现货:96 | ¥1.79 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 4 (512K x 8)MB | 86MHz | 50µs,3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_150MIL | |
W25X40CLUXIG | Winbond 华邦 | 存储器容量:4Mb (512K x 8) 技术:- 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:104MHz 存储器类型:Non-Volatile 存储器接口类型:SPI 数据手册 | 东莞仓现货:37 长沙仓现货:4000 | ¥1.6405 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 4(512Kx8)MB | 104MHz | 15us,0.4ms | 2.3V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | USON-8 | |
GD5F1GQ5UEYIGR | Gigadevice 兆易创新 | 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:3.3V 工作温度:-40℃~85℃ 数据手册 | 东莞仓现货:2494 长沙仓现货:0 | ¥10.0556 购买 | - | FLASH | FLASH | 2KB | 133MHz | - | 2.7~3.6V | -40~+85℃ | SMT | WSON8_8X6MM_EP | |
GD25Q128ESIG | Gigadevice 兆易创新 | 存储容量:128Mbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 工作温度:-40℃~85℃ 数据手册 | 东莞仓现货:0 长沙仓现货:756 | ¥4.3487 购买 | FLASH | - | FLASH | 128Mb | - | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_208MIL | |
W25Q80DVSSIGTR | Winbond 华邦 | 3V 8M 位串行闪存,带双通道和四通道 SPI 数据手册 | 东莞仓现货:0 长沙仓现货:141 | ¥2.055 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH-NOR | 8Mb | 104MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL | |
MX25L25645GM2I-08G | MXIC 旺宏电子 | 3V 256M位[x1/x2/x4]CMOS MXSMIO®(串行多I/O)闪存 数据手册 | 东莞仓现货:108 长沙仓现货:0 | ¥11.0884 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 256 (32M x 8)MB | 120MHz | 30µs,750µs | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_150MIL | |
清仓 | W25Q32JVSSIQ | Winbond 华邦 | 3V 32M位串行闪存,带双通道、四通道SPI 数据手册 | 东莞仓现货:948 长沙仓现货:93 |
折后价:¥1.510008 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 32 (4M x 8)MB | 133MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL |
SST26VF032BT-104I/SM | Microchip 微芯科技 | 闪存 存储器 IC 32Mb(4M x 8) SPI - 四 I/O 104 MHz 8-SOIJ 数据手册 | 东莞仓现货:100 长沙仓现货:0 | ¥10.925 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH | 32Mb | 104MHz | 1.5ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL | |
W25Q128JVSIQTR | Winbond 华邦 | 3V 128M位串行闪存,带双通道/四通道SPI接口 数据手册 | 东莞仓现货:295 长沙仓现货:0 | ¥4.4838 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH-NOR | 128(16Mx8)MB | 133MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL | |
W25Q64JVSSIQ | Winbond 华邦 | 3V 64M位串行闪存,带双通道、四通道SPI 数据手册 | 东莞仓现货:0 长沙仓现货:281 | ¥1.55 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 16Mb | 133MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL | |
W25Q16JVSSIQTR | Winbond 华邦 | 3V 16M位串行闪存,带双通道/四通道SPI接口 数据手册 | 东莞仓现货:109 长沙仓现货:0 | ¥1.3945 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH-NOR | 16(2Mx8)MB | 133MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_208MIL | |
EN25QH64A-104HIP | ESMT 晶豪科技 | 64 兆位 3V 串行闪存,带 4KB 统一扇区 数据手册 | 东莞仓现货:10 长沙仓现货:0 | ¥4.4 购买 | FLASH | FLASH | FLASH | 64Mb | 83MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_208MIL | |
清仓 | W25N01GVZEIG | Winbond 华邦 | 3V 1G位串行SLC NAND闪存 缓冲区读取和连续读取功能 数据手册 | 东莞仓现货:842 长沙仓现货:0 |
折后价:¥8.019976 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NAND | 1(128Mx8)GB | 104MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | WSON8_8X6MM_EP |
W25X20CLUXIGTR | Winbond 华邦 | 闪存-存储器-IC-2Mb-(256K-x-8)-SPI-104MHz-8-USON(2x3) 数据手册 | 东莞仓现货:794 长沙仓现货:0 | ¥2.0323 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH | 2(256Kx8)MB | 104MHz | 800µs | 2.3V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | USON8_2X3MM | |
AT45DB041E-SHN-T | Adesto Adesto | SOIC8_5.35X5.4MM 4Mb 85MHz 数据手册12 | 东莞仓现货:0 长沙仓现货:1000 | ¥4.2853 购买 | NonVolatile | 闪存 | - | 4Mb | 85MHz | 8µs,3ms | 1.65V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_5.35X5.4MM | |
BY25Q64ASTIG(T) | BOYAMICRO 博雅 | 64M BIT SPI NOR FLASH SOIC8_150MIL 数据手册 | 东莞仓现货:2 长沙仓现货:0 | ¥3.6565 购买 | - | - | - | 64Mb | - | - | - | - | SMT | SOIC8_150MIL | |
MX25L12835FM2I-10G | MXIC 旺宏电子 | 3V 128M位[x1/x2/x4]CMOS MXSMIO®(串行多I/O)闪存 数据手册 | 东莞仓现货:1 长沙仓现货:151 | ¥7.2 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 128 (16M x 8)MB | 104MHz | 30µs,1.5ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_208MIL | |
MKDV8GIL-AS | MK 米客方德 | 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 技术:NAND Flash 存储器容量:8Gb 时钟频率:50MHz 存储器接口类型:SD2.0 SD NAND,8Gbit(1GB) -40°C to +85°C 数据手册 | 东莞仓现货:457 长沙仓现货:0 | ¥37.3525 购买 | FLASH | FLASH | FLASH-NAND | 8GB | 50MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | LGA-8 | |
AX20NV1G811BAI101 | Axia 爱思 | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存,组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现(2112 字节× 64 页)。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 数据手册 | 东莞仓现货:10 长沙仓现货:0 | ¥5.2206 购买 | FLASH | - | FLASH | 1(128Mx8)GB | 40MHz | - | 2.7~3.6V | -40~+85℃ | SMT | FBGA-63_11X9MM | |
MX25L12835FMI-10G | MXIC 旺宏电子 | 3V,128M 位 [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO®(串行多 I/O)闪存 数据手册 | 东莞仓现货:84 长沙仓现货:0 | ¥7.475 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH - NOR | 128 (16M x 8)MB | 104MHz | 30µs,1.5ms | 2.7 ~ 3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP16_300MIL | |
清仓 | AT45DB161E-SSHD-T | Adesto Adesto | SOIC8_150MIL 16 (528 Bytes x 4096 pages)MB 85MHz 数据手册12 | 东莞仓现货:200 长沙仓现货:0 |
折后价:¥6.099987 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH | 16 (528 Bytes x 4096 pages)MB | 85MHz | 8µs | 2.5V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_150MIL |
W25Q32JWBYIQ | Winbond 华邦 | 1.8 v 32位 串行快闪存储器 双核,四SPI WLCSP12_2.3X2MM 数据手册 | 东莞仓现货:100 长沙仓现货:0 | ¥4.602 购买 | FLASH | 闪存 | EPROM - OTP | 100kb | 133MHz | 45ns | 1.7V~1.95V | -40~+85℃ | SMT | WLCSP12_2.3X2MM | |
W25X40CLSNIGTR | Winbond 华邦 | IC 闪存 4MBIT SPI 104MHZ SOIC8 数据手册 | 东莞仓现货:20 长沙仓现货:0 | ¥4.1954 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH | 4(512Kx8)MB | 104MHz | 800µs | 2.3V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOIC8_150MIL | |
W25Q80DVUXIE | Winbond 华邦 | 3V 8M 位串行闪存,带双通道和四通道 SPI 数据手册 | 东莞仓现货:150 长沙仓现货:0 | ¥2.987 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH-NOR | 8Mb | 104MHz | 3ms | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | USON8_2X3MM | |
GD25Q40CTIG | Gigadevice 兆易创新 | 4 兆位(512K x8 位),SPI,双通道 SPI,四通道 SPI,120MHz,电压:2.7V 至 3.6V 数据手册 | 东莞仓现货:5 长沙仓现货:0 | ¥1.648 购买 | NonVolatile | FLASH | FLASH | 4Mb | 120MHz | - | 2.7V~3.6V | -40~+85℃ | SMT | SOP8_150MIL |