- DIODES INC.品牌的通用三极管
- DIODES INC.品牌的晶体管
- CJ品牌的通用三极管
- CJ品牌的晶体管
- 长电品牌的通用三极管
- 长电品牌的晶体管
- ON(安森美)品牌的通用三极管
- ON(安森美)品牌的晶体管
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- ST(先科)品牌的通用三极管
- ST(先科)品牌的晶体管
- MCC(美微科)品牌的通用三极管
- MCC(美微科)品牌的晶体管
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- ON/Fairchild品牌的晶体管
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- YENJI品牌的晶体管
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- AsiaChip品牌的晶体管
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- iscsemi品牌的晶体管
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- HX品牌的晶体管
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- WINSOK品牌的晶体管
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- SHIKUES品牌的晶体管
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- JJW品牌的晶体管
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- LONTEN品牌的晶体管
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- TECH PUBLIC品牌的晶体管
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- HOEN品牌的晶体管
- Jingdao品牌的MOSFETs
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- AGMSEMI品牌的晶体管
- BORN品牌的MOSFETs
- YANGJIE品牌的MOSFETs
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- TECH PUBLIC(台舟)品牌的晶体管
- CBI品牌的MOSFETs
- TWGMC品牌的MOSFETs
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- CR MICRO品牌的晶体管
- MSKSEMI品牌的MOSFETs
- ALLPOWER品牌的MOSFETs
- ALLPOWER品牌的晶体管
- KUU品牌的MOSFETs
- KUU品牌的晶体管
- 鑫飞宏品牌的MOSFETs
- 鑫飞宏品牌的晶体管
- YONGYUTAI品牌的MOSFETs
- SPS品牌的MOSFETs
- SPS品牌的晶体管
- JSCJ品牌的MOSFETs
- JSMICRO品牌的MOSFETs
- Vergiga品牌的MOSFETs
- Vergiga品牌的晶体管
- HUASHUO品牌的MOSFETs
- HUASHUO品牌的晶体管
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- PJSEMI品牌的晶体管
- ON Semiconductor品牌的JFETs
- NXP品牌的JFETs
- ON品牌的JFETs
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- GaNPower品牌的JFETs
- GaNPower品牌的晶体管
- Littelfuse品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- Littelfuse品牌的晶体管
- ST品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- Bourns品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- Bourns品牌的晶体管
- DIODES品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- Everlight品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- Everlight品牌的晶体管
- Toshiba品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- ON品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- WeEn Semiconductors品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- WeEn Semiconductors品牌的晶体管
- JCET品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- UTC品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- COSMO品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- COSMO品牌的晶体管
- Vishay品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- Orient品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- Orient品牌的晶体管
- RICKY品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- RICKY品牌的晶体管
- JJW品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- 捷捷微品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- 捷捷微品牌的晶体管
- Slkor品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- TECH PUBLIC品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- CBI品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- KY品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- KY品牌的晶体管
- WEIDA品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- GaN Systems品牌的功率模块
- GaN Systems品牌的晶体管
- ON品牌的功率模块
- Fortior Tech品牌的功率模块
- Jsmc品牌的功率模块
- Jsmc品牌的晶体管
- ROHM品牌的IGBT
- ST品牌的IGBT
- Infineon品牌的IGBT
- ON品牌的IGBT
- AOS品牌的IGBT
- NCE品牌的IGBT
- SPTECH品牌的IGBT
- SOT223封装/外壳的通用三极管
- 2N Channel (Double) Common SourceFET类型的MOSFETs
- 200V漏源电压(Vdss)的-50A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- 21.7A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的100V漏源电压(Vdss)的80A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的100V漏源电压(Vdss)的80A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的100V漏源电压(Vdss)的70A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET配置（电路类型）的100V漏源击穿电压V(BR)dss的70A漏极电流（Id, 连续）的场效应管（MOS管）
- Nexperia(安世)品牌的通用三极管/双极晶体管
- 60V集射极击穿电压Vceo（最大值）的通用三极管（双极晶体管）
- P沟道FET类型的60V漏源电压(Vdss)的110A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的80V漏源电压(Vdss)的110A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的70V漏源电压(Vdss)的90A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的70V漏源电压(Vdss)的50A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的70V漏源电压(Vdss)的110A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的60V漏源电压(Vdss)的110A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的80V漏源电压(Vdss)的110A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的70V漏源电压(Vdss)的90A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的70V漏源电压(Vdss)的50A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的70V漏源电压(Vdss)的110A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的60V漏源电压(Vdss)的90A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的80V漏源电压(Vdss)的90A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的80V漏源电压(Vdss)的50A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的60V漏源电压(Vdss)的90A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的80V漏源电压(Vdss)的90A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的80V漏源电压(Vdss)的50A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P沟道FET类型的60V漏源电压(Vdss)的50A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- P-ChannelFET类型的60V漏源电压(Vdss)的50A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- N沟道FET类型的SOT_223.封装/外壳的MOSFETs
- 200V漏源电压(Vdss)的DIP安装类型的MOSFETs
- 200V漏源电压(Vdss)的60A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- SOIC_16 (0.154", 3.90mm Width)封装/外壳的达林顿三极管
- 97A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- 65V集射极击穿电压Vceo（最大值）的通用三极管（双极晶体管）
- 60V漏源电压(Vdss)的SMT安装类型的MOSFETs
- 24.8A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- SOT-23N封装/外壳的场效应管（MOS管）
- NCE(无锡新洁能)品牌的场效应管（MOS管）
- NCE(无锡新洁能)品牌的IGBT
- 600mW最大耗散功率的通用三极管
- 2个P沟道（双）FET配置（电路类型）的SOT23-6封装/外壳的场效应管（MOS管）
- WINSOK(微硕)品牌的40V漏源电压(Vdss)的MOSFETs
- ±8V栅源电压 Vgss的场效应管（MOS管）
- N沟道FET类型的表面贴装(SMT)安装类型的SOT-23封装/外壳的MOSFETs
- NPN晶体管类型的通用三极管/双极晶体管
- 60V，50V漏源击穿电压V(BR)dss的场效应管（MOS管）
- 60V集射极击穿电压Vce(Max)的TO220封装/外壳的通用三极管
- 60V，50V漏源击穿电压V(BR)dss的74A（Tc）漏极电流（Id, 连续）的MOSFETs
- 110V漏源电压(Vdss)的11.5A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- 单路（NPN）晶体管类型的100V集射极击穿电压Vce(Max)的带预偏置三极管
工商网监