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- KY品牌的晶体管
- WEIDA品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
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- GaN Systems品牌的晶体管
- ON品牌的功率模块
- Fortior Tech品牌的功率模块
- Jsmc品牌的功率模块
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- ST品牌的IGBT
- Infineon品牌的IGBT
- ON品牌的IGBT
- AOS品牌的IGBT
- NCE品牌的IGBT
- SPTECH品牌的IGBT
- HUASHUO(华朔)品牌的MOSFETs
- 表面贴装(SMT)安装类型的DFN5X6-8封装/外壳的MOSFETs
- 100V集射极击穿电压Vceo(最大值)的100@1mA,10V放大倍数hFE @Ic,Vce的通用三极管(双极晶体管)
- 55V漏源击穿电压V(BR)dss的场效应管(MOS管)
- i-CORE(中微爱芯)品牌的达林顿三极管
- 24A连续漏极电流Id@25℃的表面贴装(SMT)安装类型的MOSFETs
- NXP(恩智浦)品牌的带预偏置三极管
- Infineon(英飞凌)品牌的900V漏源电压(Vdss)的MOSFETs
- 1A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- 100V漏源击穿电压V(BR)dss的场效应管(MOS管)
- ON(安森美)品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- 82V漏源电压(Vdss)的MOSFETs
- 98A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- CR MICRO(华润微)品牌的MOSFETs
- SOT23封装/外壳的MOSFETs
- WEIDA(韦达)品牌的通用三极管
- 200V漏源击穿电压V(BR)dss的场效应管(MOS管)
- MIXIC(中科芯亿达)品牌的达林顿三极管
- SPTECH(质超)品牌的IGBT
- PNP三极管配置(电路类型)的通用三极管(双极晶体管)
- 11.4A连续漏极电流Id@25℃的MOSFETs
- PG-TO247-3封装/外壳的MOSFETs
- TO247-3封装/外壳的MOSFETs
- TO247-4封装/外壳的MOSFETs
- TO247AC-3封装/外壳的MOSFETs
- ON(安森美)品牌的功率模块
- Jingdao(晶导微电子)品牌的通用三极管
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- CBI(创基)品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- MICRONE(南京微盟)品牌的场效应管(MOS管)
- Corebai(芯佰)品牌的达林顿三极管
- Toshiba(东芝)品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- PANJIT(强茂)品牌的MOSFETs
- Nexperia(安世)品牌的带预偏置三极管
- Bourns(伯恩斯(邦士))品牌的可控硅/晶闸管/光电可控硅
- YANGJIE(扬杰)品牌的通用三极管
- KEC品牌的通用三极管/双极晶体管
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- JSMICRO(杰盛微)品牌的通用三极管
- takcheong(德昌)品牌的场效应管(MOS管)
- ON(安森美)品牌的达林顿三极管
- ST(意法半导体)品牌的场效应管
- NCE(无锡新洁能)品牌的场效应管(MOS管)
- IDCHIP(英锐芯)品牌的达林顿三极管
- Infineon(英飞凌)品牌的达林顿三极管
- TI(德州仪器)品牌的达林顿三极管
- MDD(辰达行)品牌的通用三极管(双极晶体管)
- 1.2KV漏源电压(Vdss)的TO247封装/外壳的MOSFETs
- 1.2KV漏源电压(Vdss)的TO247-3封装/外壳的MOSFETs
- 1.2KV漏源电压(Vdss)的PG-TO247-3封装/外壳的MOSFETs