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AOS(美国万代)品牌的IGBT

华秋商城代理的IGBT芯片全系列，有AOS(美国万代)品牌芯片，都是华秋商城自营的正品现货IGBT芯片。

展示方式：

横向纵向

封装/外壳

D-PAKD²PAKITO-220ABModuleTO-220-3TO-220ABTO-220FTO-220FPTO-247TO-247-3TO-247-3LDTO-252(DPAK)TO-252AATO-263(D²Pak)TO-3PTO-3P-3TO220MFTO247AC-3TO264-3TO3PN
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晶体管类型

-FS(场截止)Grooved Field Cut-OffNPTNPT and TrenchNPT和沟道NPT，沟槽型场截止P沟道Trench Field Stop场截止沟槽型场截止沟道
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集射极击穿电压Vce(Max)

-1.2KV1.35KV1KV330V420V600V650V
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工作温度

-40℃~+150℃-40℃~+150℃(TJ)-40℃~+175℃-40℃~+175℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃(TJ)
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导通损耗

0.18mJ0.37mJ0.39mJ0.3mJ0.82mJ0.95mJ1.19mJ1.2mJ1.5mJ1.9mJ2.2mJ2.3mJ2.5mJ2.9mJ3mJ
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关断损耗

0.07mJ0.09mJ0.12mJ0.17mJ0.1mJ0.255mJ0.26mJ0.31mJ0.37mJ0.45mJ0.46mJ0.63mJ0.65mJ0.96mJ1.1mJ1.3mJ1.76mJ2.9mJ210uJ
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开通延迟时间

125ns15ns160ns18ns19ns22ns26ns31.6ns327ns33ns35ns363ns40ns55ns60ns64ns8.5ns92ns
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关断延迟时间

100ns105ns112ns115ns118ns12ns165ns168ns180ns19ns200ns22ns230ns314ns32ns330ns49ns60ns70ns77ns87ns90ns
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))

1.2KV1.2V1.35KV1.8V@15A,15V330V420V600V650V
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正向压降VF

1.45V@20A1.65V1.9V2V
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功率耗散

110W125W136W167W187W200W208W258W260W268W280W286W288W290W294W298W316W32W330W333W349W37.5W378W416W428W44W480W483W600W60W69W83W882W
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集电极电流 Ic

10A120A12A140A15A16A20A240A30A35A40A47A5.3A50A55A57A60A74A75A80A90A96A
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