Toshiba(东芝)品牌的MOSFETs

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• 型号：SSM3J334R,LF(TMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
• 编号：DS0189814

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• 型号：SSM3J328R,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=29.8mΩ SOT23F
• 编号：DS0074276

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• 型号：2SK880-Y(TE85L,F)MOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SC70
• 描述：
  场效应晶体管硅N通道结型
• 编号：DS0106665

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• 型号：2SK209-GR(TE85L,F)MOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications
• 编号：DS0099690

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• 型号：SSM3J328R,LF(TMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
• 编号：DS0189811

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• 型号：SSM3K341R,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
• 编号：DS0083716

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• 型号：SSM3J332R,LF(TMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
• 编号：DS0189812

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• 型号：SSM3K15AFS,LF(BMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SSM
• 描述：
  东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
• 编号：DS0189810

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• 型号：TPHR9003NL,L1QMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：PowerVDFN8
• 描述：
  MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
• 编号：DS0076095

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• 型号：SSM3K15AFU,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT323
• 描述：
  类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
• 编号：DS0078699

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• 型号：TK32E12N1,S1XMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：TO-220-3
• 描述：
  MOS管 N-Channel VDS=120V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=13mΩ@10V TO220
• 编号：DS0083913

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• 型号：SSM3J358R,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=22.1mΩ@8V SOT23F
• 编号：DS0141830

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• 型号：SSM3K329R,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：126mΩ@4V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
• 编号：DS0074345

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• 型号：T2N7002BK,LMMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：400mA 功率(Pd)：320mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.1V@250uA
• 编号：DS0075139

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• 型号：SSM3J332R,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
• 编号：DS0075249

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• 型号：SSM3J46CTB(TPL3)MOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：1T1A-2
• 描述：
  类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
• 编号：DS0078886

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• 型号：SSM6J511NU,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：UDFN6B_2X2MM_EP
• 描述：
  MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
• 编号：DS0084141

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• 型号：SSM3J132TU,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：UFM3
• 描述：
  MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
• 编号：DS0084151

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• 型号：2SK3476(TE12L,QMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：5N1A-2
• 描述：
  MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
• 编号：DS0141827

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• 型号：2SK3878MOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SC65
• 描述：
  MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
• 编号：DS0141829

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• 型号：SSM3K324R,LF(TMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
• 编号：DS0141831

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• 型号：SSM3K37MFV,L3FMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT-723-3
• 描述：
  类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
• 编号：DS0075163

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• 型号：SSM3J356R,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
• 编号：DS0074266

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• 型号：SSM3J338R,LFMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT23F
• 描述：
  MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
• 编号：DS0083561

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• 型号：SSM3J56MFV,L3F(TMOSFETs
• 品牌：Toshiba(东芝)
• 封装：SOT-723-3
• 描述：
  Load Switching Applications
• 编号：UN0000738