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NCE(无锡新洁能)品牌的晶体管

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+ 对比

型号：NCE6005ASMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：SOP8_150MIL
描述：
个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2W
编号：DS0143720

现货库存： 10690（当天发货）
批次：2年内

10+	￥0.79901	last
100+	￥0.73526	last
500+	￥0.67151	last
1000+	￥0.60776	last
2000+	￥0.56526	last
4000+	￥0.55251	last

起订：10 倍数：10
「卷装(TR) / 4000」
金额： ￥7.99

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+ 对比

型号：NCEP0178AKMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：
N沟道 Vdss=100V Id=78A RDS(On)=9.5mΩ@4.5V
编号：DS0143889

现货库存： 2705（当天发货）
批次：3年内

1+	￥2.40100	last
30+	￥2.31100	last
100+	￥2.13100	last
500+	￥1.95100	last
1000+	￥1.86100	last

起订：1 倍数：1
「管装(TUBE) / 50」
金额： ￥2.40

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+ 对比

型号：NCEP15T14MOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-220-3
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：320W
编号：DS0143884

现货库存： 70（当天发货）
批次：3年内

1+	￥9.10001	last
10+	￥8.20001	last
50+	￥7.48001	last
150+	￥7.00001	last
300+	￥6.70001	last

起订：1 倍数：1
「管装(TUBE) / 50」
金额： ￥9.10

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8.3折

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+ 对比

型号：NCEP1520KMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
编号：DS0145291

现货库存： 3237（当天发货）
批次：3年内

	原价	折后价
1+	~~￥1.26001~~	￥1.03980
10+	~~￥1.21001~~	￥0.99854
100+	~~￥1.09001~~	￥0.89951
500+	~~￥1.03001~~	￥0.85000

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 2500」
金额： ￥1.04

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+ 对比

型号：NCE3400MOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：SOT-23
描述：
N沟道增强型功率MOSFET
编号：DS0143437

现货库存： 4023（当天发货）
批次：3年内

5+	￥0.23417	last
20+	￥0.21465	last
100+	￥0.19514	last
500+	￥0.17562	last
1000+	￥0.16651	last
2000+	￥0.16000	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥1.17

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+ 对比

型号：NCE4060KMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
编号：DS0142026

现货库存： 3212（当天发货）
批次：3年内

1+	￥0.77400	last
30+	￥0.74500	last
100+	￥0.68700	last
500+	￥0.62900	last
1000+	￥0.60000	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 2500」
金额： ￥0.77

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+ 对比

型号：NCE6080KMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
编号：DS0143266

现货库存： 1876（当天发货）
批次：3年内

5+	￥1.26760	last
50+	￥1.16560	last
500+	￥1.02960	last
1000+	￥0.92760	last
2500+	￥0.88000	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 2500」
金额： ￥6.34

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+ 对比

型号：NCE6003MMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：SOT89-3
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
编号：DS0183242

现货库存： 519（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.47429	last
10+	￥0.45814	last
100+	￥0.40969	last
500+	￥0.40000	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 1000」
金额： ￥0.47

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+ 对比

型号：NCE4953MOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：SOP8_150MIL
描述：
2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
编号：DS0183234

现货库存： 2716（当天发货）
批次：2年内

5+	￥0.53857	last
20+	￥0.49158	last
100+	￥0.44459	last
500+	￥0.39759	last
1000+	￥0.37566	last
2000+	￥0.36000	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 4000」
金额： ￥2.69

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+ 对比

型号：NCEP60T15GMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：DFN8_5X6MM
描述：
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
编号：DS0183232

现货库存： 4988（当天发货）
批次：2年内

5+	￥3.34839	last
50+	￥3.05139	last
500+	￥2.75439	last
1000+	￥2.45739	last
2500+	￥2.31879	last
5000+	￥2.19999	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 5000」
金额： ￥16.74

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+ 对比

型号：NCE80H12MOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-220-3
描述：
MOSFETs N-Channel TO220-3L Vds=80V Vgs=±20V Id=120A Pd=220W
编号：DS0142040

现货库存： 3（当天发货）
批次：3年内

1+	￥2.20800	last
30+	￥2.12800	last
100+	￥1.96800	last
500+	￥1.80800	last
1000+	￥1.72800	last

起订：1 倍数：1
「管装(TUBE) / 50」
金额： ￥2.21

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+ 对比

型号：NCE0130KAMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：
TO252 SMT 100V 30A
编号：ZHLM0059328

现货库存： 2244（当天发货）
批次：2年内

1+	￥1.83700	last
10+	￥1.67200	last
30+	￥1.56200	last
100+	￥1.39700	last
500+	￥1.32000	last
1000+	￥1.26500	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 2500」
金额： ￥1.84

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6折

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+ 对比

型号：NCE65T1K2FMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO220F-3
描述：
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
编号：DS0142045

现货库存： 100（当天发货）
批次：2年内

	原价	折后价
1+	~~￥1.59500~~	￥0.95700
30+	~~￥1.54000~~	￥0.92400
100+	~~￥1.43000~~	￥0.85800
500+	~~￥1.32000~~	￥0.79200
1000+	~~￥1.26500~~	￥0.75900

起订：1 倍数：1
「管装(TUBE) / 50」
金额： ￥0.96

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+ 对比

型号：NCEP30T21GUMOSFETs
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：DFN8_5X6MM
描述：
超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
编号：DS0190420

现货库存： 4543（当天发货）
批次：3年内

1+	￥4.67399	last
10+	￥4.24649	last
30+	￥3.96149	last
100+	￥3.53400	last
500+	￥3.33450	last
1000+	￥3.19200	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 5000」
金额： ￥4.67

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+ 对比

型号：NCE0117I可控硅/晶闸管/光电可控硅
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-251-3
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):17A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.35nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
编号：DS39662380