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MDD(辰达半导体)品牌的晶体管

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型号：MMBT4401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262574

现货库存： 3255（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MMBT4401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262574

现货库存： 22（1个工作日内）
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型号：S9012通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262573

现货库存： 1510（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：2SC1623通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5951221

现货库存： 1473（1个工作日内）
批次：超3年

50+	￥0.05040	last
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5000+	￥0.03840	last
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型号：MMBT4403通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G6542870

现货库存： 1007（1个工作日内）
批次：超3年

1+	￥0.07280	last
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型号：S8550-2TY通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
三极管 PNP Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~400 P=300mW SOT23
编号：G4211249

现货库存： 2310（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5478783

现货库存： 4（1个工作日内）
批次：3年内

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型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5478783

现货库存： 3337（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MDD3401MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs P-沟道 30V 4.2A SOT-23
编号：G6646484

现货库存： 1584（1个工作日内）
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型号：S8550通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4671830

现货库存： 7779（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：D882通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT89-3
描述：
通用三极管 SOT89-3 IC=3A VCEO=30V hFE=30
编号：G4262576

现货库存： 233（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MMBTA92通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-300mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5902792

现货库存： 344（1个工作日内）
批次：超3年

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型号：MMBT3904通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=200mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5464522

现货库存： 39（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MDD2301MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G6613054

现货库存： 15（1个工作日内）
批次：超3年

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型号：MDD2301MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G6613054

现货库存： 4275（1个工作日内）
批次：2年内

5+	￥0.09405	last
50+	￥0.08550	last
500+	￥0.07410	last
1000+	￥0.06555	last
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型号：MDD50N03DMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：TO-252(DPAK)
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V;
编号：G12027642

现货库存： 4175（1个工作日内）
批次：2年内

1+	￥0.55594	last
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100+	￥0.53926	last

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型号：S8050通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4673894

现货库存： 20640（1个工作日内）
批次：2年内

20+	￥0.03888	last
200+	￥0.03648	last
500+	￥0.03408	last
1000+	￥0.03168	last
3000+	￥0.03048	last
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型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5478783

现货库存： 4（1个工作日内）
批次：3年内

	原价	折后价
1+	~~￥0.03348~~	￥0.03181
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型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5478783

现货库存： 3337（1个工作日内）
批次：2年内

1+	￥0.04370	last
30+	￥0.04215	last
100+	￥0.03905	last
500+	￥0.03596	last
1000+	￥0.03441	last

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型号：MMBT3906通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-200mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G6583414

现货库存： 1（1个工作日内）
批次：超3年

	原价	折后价
50+	~~￥0.03910~~	￥0.03715
500+	~~￥0.03680~~	￥0.03496
2000+	~~￥0.03220~~	￥0.03059
5000+	~~￥0.02990~~	￥0.02841
15000+	~~￥0.02760~~	￥0.02622
30000+	~~￥0.02645~~	￥0.02513

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型号：MMBT3906通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-200mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G6583414

现货库存： 2470（1个工作日内）
批次：2年内

50+	￥0.04352	last
600+	￥0.03413	last
1200+	￥0.03362	last
3000+	￥0.02806	last

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金额： ￥2.18

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型号：S9015通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5951220

现货库存： 2275（1个工作日内）
批次：超3年

50+	￥0.06384	last
500+	￥0.06004	last
2000+	￥0.05244	last
5000+	￥0.04864	last
15000+	￥0.04484	last
30000+	￥0.04294	last

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金额： ￥3.19

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型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs P-沟道 50V 130mA SOT-23
编号：G4609015

现货库存： 28（1个工作日内）
批次：3年内

	原价	折后价
1+	~~￥0.05520~~	￥0.05244
30+	~~￥0.05320~~	￥0.05054
100+	~~￥0.04920~~	￥0.04674
500+	~~￥0.04520~~	￥0.04294
1000+	~~￥0.04320~~	￥0.04104

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金额： ￥0.05

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型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs P-沟道 50V 130mA SOT-23
编号：G4609015

现货库存： 1179（1个工作日内）
批次：2年内

10+	￥0.06044	last
50+	￥0.05576	last
200+	￥0.05186	last
600+	￥0.04797	last
1500+	￥0.04485	last
3000+	￥0.04290	last

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起订：10 倍数：10
「卷装(TR) / 12000」
金额： ￥0.60

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型号：2N7002KMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs N-沟道 60V 500mA SOT-23
编号：G4651505

现货库存： 12007（1个工作日内）
批次：2年内

20+	￥0.05701	last
200+	￥0.05326	last
500+	￥0.04951	last
1000+	￥0.04576	last
3000+	￥0.04388	last
6000+	￥0.04126	last

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「卷装(TR) / 12000」
金额： ￥1.14

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型号：SI2301SMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
编号：G5424968