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MDD(辰达半导体)品牌的晶体管

华秋商城代理的晶体管芯片全系列，有MDD(辰达半导体)品牌芯片，都是华秋商城自营的正品现货晶体管芯片。

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
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型号：MMBT4401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262574

现货库存： 3255（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MMBT4401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262574

现货库存： 22（1个工作日内）
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型号：S9012通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262573

现货库存： 1510（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MMBT4403通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G6542870

现货库存： 1007（1个工作日内）
批次：超3年

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型号：S8550-2TY通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
三极管 PNP Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~400 P=300mW SOT23
编号：G4211249

现货库存： 2410（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：2SC1623通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5951221

现货库存： 1473（1个工作日内）
批次：超3年

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型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5478783

现货库存： 4（1个工作日内）
批次：3年内

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型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5478783

现货库存： 3665（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：S8550通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4671830

现货库存： 7829（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MDD3401MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs P-沟道 30V 4.2A SOT-23
编号：G6646484

现货库存： 1584（1个工作日内）
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型号：D882通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT89-3
描述：
通用三极管 SOT89-3 IC=3A VCEO=30V hFE=30
编号：G4262576

现货库存： 343（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MMBTA92通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-300mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5902792

现货库存： 344（1个工作日内）
批次：超3年

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型号：MMBT3904通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=200mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5464522

现货库存： 129（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MDD2301MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G6613054

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型号：MDD2301MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G6613054

现货库存： 4275（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MDD50N03DMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：TO-252(DPAK)
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V;
编号：G12027642

现货库存： 4175（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs P-沟道 50V 130mA SOT-23
编号：G4609015

现货库存： 28（1个工作日内）
批次：3年内

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型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs P-沟道 50V 130mA SOT-23
编号：G4609015

现货库存： 1289（1个工作日内）
批次：2年内

10+	￥0.06044	last
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型号：S8050-J3Y通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~350 P=300mW SOT-23
编号：G4211250

现货库存： 18000（1个工作日内）
批次：2年内

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500+	￥0.03408	last
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型号：MMBT5551通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4242828

现货库存： 25384（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：S9013通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262572

现货库存： 30（1个工作日内）
批次：2年内

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型号：MMBT4401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262574

现货库存： 3255（1个工作日内）
批次：2年内

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500+	￥0.06320	last
2000+	￥0.05520	last
5000+	￥0.05120	last
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30000+	￥0.04520	last

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型号：MMBT4401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G4262574

现货库存： 22（1个工作日内）
批次：-

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型号：S9015通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：G5951220

现货库存： 2275（1个工作日内）
批次：超3年

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2000+	￥0.05244	last
5000+	￥0.04864	last
15000+	￥0.04484	last
30000+	￥0.04294	last

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型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs P-沟道 50V 130mA SOT-23
编号：G4609015

现货库存： 28（1个工作日内）
批次：3年内

28+	￥0.08657	last

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金额： ￥2.42

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型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs P-沟道 50V 130mA SOT-23
编号：G4609015

现货库存： 1289（1个工作日内）
批次：2年内

10+	￥0.06044	last
50+	￥0.05576	last
200+	￥0.05186	last
600+	￥0.04797	last
1500+	￥0.04485	last
3000+	￥0.04290	last

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型号：2N7002KMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
MOSFETs N-沟道 60V 500mA SOT-23
编号：G4651505

现货库存： 45086（1个工作日内）
批次：2年内

50+	￥0.07710	last
2400+	￥0.04315	last
4800+	￥0.03855	last
12000+	￥0.03797	last

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「卷装(TR) / 12000」
金额： ￥3.85

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型号：SI2301SMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
编号：G5424968