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MDD(辰达半导体)品牌的晶体管

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+ 对比

型号：AO3400MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W
编号：DS0141639

现货库存： 5（当天发货）
批次：-

1+	￥0.12265	last
10+	￥0.11299	last
30+	￥0.11106	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.12

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+ 对比

型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0177552

现货库存： 64（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.03782	last
10+	￥0.03472	last
30+	￥0.03410	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.04

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+ 对比

型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0177552

现货库存： 2810（当天发货）
批次：2年内

5+	￥0.05145	last
20+	￥0.04680	last
100+	￥0.04215	last
500+	￥0.03751	last
1000+	￥0.03534	last
2000+	￥0.03379	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.26

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+ 对比

型号：S8550通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：ZHLM0044042

现货库存： 2560（当天发货）
批次：2年内

5+	￥0.03960	last
20+	￥0.03600	last
100+	￥0.03240	last
500+	￥0.02880	last
1000+	￥0.02712	last
2000+	￥0.02592	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.20

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+ 对比

型号：S8550-2TY通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
三极管 PNP Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~400 P=300mW SOT23
编号：DS0139545

现货库存： 3156（当天发货）
批次：2年内，超3年

5+	￥0.04008	last
20+	￥0.03648	last
100+	￥0.03288	last
500+	￥0.02928	last
1000+	￥0.02760	last
2000+	￥0.02640	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.20

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7.9折

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+ 对比

型号：2SC1623通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0182949

现货库存： 1703（当天发货）
批次：超3年

	原价	折后价
1+	~~￥0.04230~~	￥0.03342
100+	~~￥0.03930~~	￥0.03105
300+	~~￥0.03630~~	￥0.02868
500+	~~￥0.03330~~	￥0.02631
2000+	~~￥0.03180~~	￥0.02512
5000+	~~￥0.03090~~	￥0.02441

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.03

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+ 对比

型号：AO3415MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
编号：DS0145155

现货库存： 3870（当天发货）
批次：2年内，超3年

5+	￥0.20373	last
20+	￥0.18543	last
100+	￥0.16713	last
500+	￥0.14883	last
1000+	￥0.14029	last
2000+	￥0.13419	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥1.02

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+ 对比

型号：AO3415MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
编号：DS0145155

现货库存： 457（当天发货）
批次：3年内

1+	￥0.15467	last
10+	￥0.14220	last
30+	￥0.13970	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.15

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+ 对比

型号：MMBT4403通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0188422

现货库存： 1835（当天发货）
批次：超3年

1+	￥0.06916	last
30+	￥0.06656	last
100+	￥0.06136	last
500+	￥0.05616	last
1000+	￥0.05356	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.07

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+ 对比

型号：D882通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT89-3
描述：
通用三极管 SOT89-3 IC=3A VCEO=30V hFE=30
编号：DS0141646

现货库存： 1039（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.24165	last
10+	￥0.23270	last
100+	￥0.21122	last
500+	￥0.20048	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 1000」
金额： ￥0.24

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+ 对比

型号：MMBTA92通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-300mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0182134

现货库存： 404（当天发货）
批次：超3年

1+	￥0.10285	last
10+	￥0.09435	last
30+	￥0.09265	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.10

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+ 对比

型号：MDD50N03DMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V;
编号：DS39699139

现货库存： 5490（当天发货）
批次：2年内

10+	￥0.45560	last
100+	￥0.41540	last
500+	￥0.37520	last
1000+	￥0.33500	last
2000+	￥0.30820	last
4000+	￥0.30016	last

金额： ￥4.56

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+ 对比

型号：MDD2301MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0190423

现货库存： 15（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.05985	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.06

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+ 对比

型号：MDD2301MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0190423

现货库存： 5970（当天发货）
批次：2年内

5+	￥0.09405	last
50+	￥0.08550	last
500+	￥0.07410	last
1000+	￥0.06555	last
2500+	￥0.06156	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.47

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+ 对比

型号：S9013通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0141651

现货库存： 3675（当天发货）
批次：2年内

5+	￥0.04124	last
20+	￥0.03749	last
100+	￥0.03374	last
500+	￥0.03000	last
1000+	￥0.02825	last
2000+	￥0.02700	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.21

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+ 对比

型号：S9013通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0141651

现货库存： 125（当天发货）
批次：-

1+	￥0.03640	last
10+	￥0.03360	last
30+	￥0.03304	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.04

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+ 对比

型号：2N7002KMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0143223

现货库存： 396（当天发货）
批次：超3年

1+	￥0.04095	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.04

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+ 对比

型号：2N7002KMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0143223

现货库存： 10065（当天发货）
批次：2年内

100+	￥0.06194	last
500+	￥0.05814	last
1000+	￥0.05244	last
5000+	￥0.04484	last
10000+	￥0.04028	last

起订：100 倍数：100
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥6.19

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+ 对比

型号：BC847C通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0189638

现货库存： 15（当天发货）
批次：3年内

1+	￥0.05832	last
10+	￥0.05562	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.06

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+ 对比

型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0141826

现货库存： 2148（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.05400	last
10+	￥0.05200	last
100+	￥0.04720	last
500+	￥0.04480	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.05

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+ 对比

型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0141826

现货库存： 2700（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.05147	last
10+	￥0.04952	last
100+	￥0.04485	last
500+	￥0.04251	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.05

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+ 对比

型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0141826

现货库存： 2148（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.05400	last
10+	￥0.05200	last
100+	￥0.04720	last
500+	￥0.04480	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.05

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+ 对比

型号：BSS84MOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0141826

现货库存： 2700（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.05147	last
10+	￥0.04952	last
100+	￥0.04485	last
500+	￥0.04251	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.05

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+ 对比

型号：S8050-J3Y通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~350 P=300mW SOT-23
编号：DS0139544

现货库存： 2988（当天发货）
批次：2年内

5+	￥0.04080	last
20+	￥0.03720	last
100+	￥0.03360	last
500+	￥0.03000	last
1000+	￥0.02832	last
2000+	￥0.02712	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.20

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+ 对比

型号：MMBT5551通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0141649

现货库存： 5386（当天发货）
批次：2年内，超3年

10+	￥0.04494	last
50+	￥0.04146	last
200+	￥0.03856	last
600+	￥0.03567	last
1500+	￥0.03335	last
3000+	￥0.03190	last

起订：10 倍数：10
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.45

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+ 对比

型号：SI2301SMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
编号：DS0145141

现货库存： 61（当天发货）
批次：3年内

1+	￥0.08775	last
10+	￥0.08050	last
30+	￥0.07905	last
100+	￥0.07470	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.09

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+ 对比

型号：S9015通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0182950

现货库存： 2540（当天发货）
批次：超3年

5+	￥0.06156	last
20+	￥0.05586	last
100+	￥0.05016	last
500+	￥0.04446	last
1000+	￥0.04180	last
2000+	￥0.03990	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.31

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+ 对比

型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0177552

现货库存： 64（当天发货）
批次：2年内

1+	￥0.03782	last
10+	￥0.03472	last
30+	￥0.03410	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.04

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+ 对比

型号：MMBT5401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0177552

现货库存： 2810（当天发货）
批次：2年内

5+	￥0.05145	last
20+	￥0.04680	last
100+	￥0.04215	last
500+	￥0.03751	last
1000+	￥0.03534	last
2000+	￥0.03379	last

起订：5 倍数：5
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.26

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+ 对比

型号：MMBT4401通用三极管
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0141648

现货库存： 367（当天发货）
批次：-

1+	￥0.05200	last
10+	￥0.04800	last
30+	￥0.04720	last
100+	￥0.04480	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.05

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+ 对比

型号：2N7002KMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0143223

现货库存： 396（当天发货）
批次：超3年

1+	￥0.04095	last

起订：1 倍数：1
「卷装(TR) / 3000」
金额： ￥0.04

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+ 对比

型号：2N7002KMOSFETs
品牌：MDD(辰达半导体)
封装：SOT-23
描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
编号：DS0143223