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This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain

VN0808 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN0808L-G | - | - | 立即购买 |
嵌入式开发,仿真环节至关重要。仿真,自然脱离不了仿真设备的使用,本文基于VN5650,讨论一下以太网的配置与使用。
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| V23074A2002A403 | VP0550 | VN1206 | VN4012 |
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