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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZCM1213A-04SO | ON | TVS DIODE 3.3VCWM 10VC SC74-6 | 立即购买 |
| CM1213A-04SO | ON | TVS DIODE 3.3VWM 10VC SC74 | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| 4-Channel Low Capacitance ESD Protection Array | 418 | 点击下载 | |
| SC-74 (SC-59ML) 6 LEAD | 54 | 点击下载 |
今天，2021高通人工智能物联网开发技术开放日火热开启！高通公司携手中科创达等知芯伙伴，盘点AIoT热门“知识点”，探索产业新未来，6城接力，精彩不停~ 首站北京，美国高通公司中国研发团队“机...
DANVERS，马萨诸塞州 - 宜必思科技公司今天宣布与三星电子达成联合开发协议有限公司和三菱材料硅公司（Mitsubishi Materials Silicon Corp.）优化用于高性能CMOS半导体的绝缘体上硅（SOI）技术。
结构光。结构光技术（图4（b））主要是通过近红外激光器发射的具有一定结构特征的光线，投射到被拍摄物体上，再由专门的红外相机进行采集，采集后生成的图像相对原始光线结构发生变化，然后通过运算单元将这种结构的...
电导率是描述电解质溶液中离子传导能力的物理量。常用的电导率单位有毫西/厘米（ms/cm）和微西/厘米（us/cm）。要将毫西/厘米（ms/cm）转换为微西/厘米（us/cm），需要乘以1000，而要
...家）的一篇文章：用ARC绝热量热仪来研究不同化学配比NCM材料在不同脱锂/SOC状态下的热稳定性。 本文全是技术分析，没有吐槽。 前言背景 锂离子电池在车上使用，安全性已经受到了越来越多的重视。三元NCM材料随着镍含量的...
选择多晶硅的另一个原因是MOS晶体管的阈值电压与栅极和沟道之间的功函数差异相关。此前，当工作电压在3~5V范围内时，使用金属栅极。但是，随着晶体管的缩小，这确保了器件的工作电压也降低了。具有这种高阈值电压的晶...
| CESD3V3AP | CAV93C86 | C4532X5R0J476M250KA | C1608C0G1H180J080AA |
| CAT25512 | CAT5411 | CAT9555 | CM1293A-04SO |
| CAT34C02 | CM1422 | CAT6218 | CDCE949-Q1 |
| CAT5259 | CAT25040 | CNY174M | CC1310 |
| CAT24C32B | CM1263-06DE | CSD18536KCS | CAT24M01 |
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