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CSD18536KCS 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18536KCS | TI | CSD18536KCS 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 立即购买 |
...问题吗?”我问。他确实碰到过,于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息。
WAP技术与业务 摘 要:介绍WAP的发展、结构、基于GSM网络的承载能力以及WAP业务。关键词:WAP GSM SMS CSD USSD&nbs
SNIA定义了三种计算存储标准:Computational Storage Drive(CSD,即可计算型SSD,包含持久存储和计算模块)、Computational Storage
Texas Instruments CSD96416同步降压NexFET™功率级是高度优化的设计,用于大功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器IC和功率MOSFET,可完成功率级开关功能。该
Texas Instruments CSD95411同步降压NexFET™功率级是高度优化的设计,用于大功率、高密度同步降压转换器。该器件集成了驱动器IC和功率MOSFET以完成功率级转换功能。该
Texas Instruments CSD96415同步降压NexFET™功率级是高度优化的设计,用于大功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器IC和功率MOSFET,可完成功率级开关功能。该
CSD96370Q5M NexFET 功率级经过优化设计,适用于高功率、高密度 同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术,以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
CSD97370AQ5M NexFET 功率级经过优化设计,适用于高功率、高密度 同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术,以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
| CNY17F4M | CM1263-06DE | C8051F996-GU | CAT24C64 |
| CAT5172 | CDCE937 | CL10B104KB8NNNC | CAV93C46 |
| CAT5409 | CAT9532 | CMP401 | CAT6201 |
| CAT1021 | CAT6241 | CM1402 | CC2592 |
| CDCM6208 | C8051F330-GM | C0603C220J5GACTU | C5SMF-GJS-CV0Y0792 |
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