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描述
IRF630属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF630为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
TO-220封装的IRF630普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF630得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF630适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF630的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
特点
*动态dv/dt率
*可恢复性雪崩测定
*175℃工作温度
*快速转换速率
*并行简易
*仅需简单驱动
*贴片安装 - IRF630S
*可选卷带包装 - IRF630S
*无铅环保
IRF630电路图
IRF630电路图
IRF630电路图
IRF630电路图
IRF630 封装图
IRF630 封装图
IRF630 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF630MFP | ITG | 固定电感器 Nonstandard 6.8µH ±20% 2.4A 179mΩ | 立即购买 |
| IRF630NS | EDAC | 857 HIGH TEMP' SERIES (.156" (3. | 立即购买 |
| IRF630N | PRECI-DIP | CONN SOCKET 82POS 0.1 GOLD PCB | 立即购买 |
| IRF630BTSTU | Raltron | 无源晶振 18pF 10MHz ±100ppm -40℃~+85℃ 130Ω SMD6035_4P | 立即购买 |
| IRF630A_CP001 | SiTime | 有源晶振 25MHz ±25ppm 2.25V~3.63V SMD-6 | 立即购买 |
| IRF630A | Epson | 无源晶振 16MHz 80Ω 12pF ±30ppm -40℃~+85℃ SMD-4 | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| IRF044-SMD pdf datasheet (N–CH | RAR | 666 | 点击下载 |
| irf630芯片参数资料PDF | 339 | 点击下载 | |
| IRF630N芯片数据 | 141 | 点击下载 | |
| IRF630英文资料 | 167 | 点击下载 | |
| IRF4905S_IRF4905L pdf | RAR | 150 | 点击下载 |
| IRF5305S_IRF5305L pdf | RAR | 160 | 点击下载 |
| IRF840, pdf datasheet (PowerMe | RAR | 344 | 点击下载 |
| IRF7464 pdf datasheet (HEXFET | RAR | 666 | 点击下载 |
IRF3205是一种N沟道功率MOS管，采用 TO-220AB 封装，工作电压为 55V 和 110A。特点是其导通电阻极低，仅为 8.0mΩ，适用于逆变器、电机速度控制器、DC-DC 转换器等
高通骁龙 630 处理器是基于先进的14nm工艺，采用2.2GHz主频4+ 4 核心Cortex-A53 架构八核设计，内置GPU为Adreno 508 GPU，配备X12 LTE调制解调器、支持8GB运行内存、支持QC4 快充，均提供了高级RF前端支持、包络跟踪技术以及蓝牙5. 0 等，相...
深入解析 IRF150DM115 MOSFET：特性、参数与应用 在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为常见且关键的电子元件。今天，我们就来
无局放变频电源装置630KVA
H20R1203到底能不能用IRF 250代换？ H20R1203和IRF250是两种不同的电力场效应晶体管。虽然它们可能在一些电路应用中具有相似的性能特点，但它们并不是完全相同的，因此不能直接互换
本文介绍了三种irf3205典型应用电路。
用万用表触发场效应管，可以测量irf3205的好坏。
irf3205是应用范围广的场效应管，本文为大家介绍它的基本参数、电气参数等。
| irf630 | INA125-DIE | INA333 | INA210 |
| INA301 | INA212 | irf540 | IDC5Q |
| IBIS4-6600 | INA826 | INA271-HT | INA226 |
| INA210-Q1 | INA214 | ISO7741 | INA215-Q1 |
| INA212-Q1 | IIS2DH | IIS328DQ | ISO7841 |
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