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ISO7841

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高性能 5.7kVRMS 增强型四通道数字隔离器

制造商:TI

产品信息

描述ISO7841x 器件是一款高性能四通道数字隔离器,隔离电压为 8000VPK。该器件已通过符合VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O时,该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2)绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。该器件配有使能引脚,可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于 高阻抗状态, 也可用于降低功耗。ISO7841 器件具有 3 个正向通道和1 个反向通道。如果出现输入功率或信号丢失,ISO7841 器件默认输出高电平,ISO7841F 器件默认输出低电平。有关更多详细信息,请参阅 Device Functional Modes器件功能模式部分。与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布线技术,ISO7841器件的电磁兼容性得到了显著增强,可确保提供系统级 ESD、EFT 和浪涌保护并符合辐射标准。ISO7841 器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。特性信号传输速率:高达 100Mbps 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V2.25V 至 5.5V 电平转换 宽温度范围:–55°C 至 +125°C低功耗:电流典型值为 1.7mA/通道(1Mbps 时)低传播延迟:典型值为 11ns(5V 电源供电时) 行业领先的 CMTI(最小值):±100 kV/µs 优异的电磁兼容性 (EMC) 系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT)以及抗浪涌保护低辐射隔离层寿命:40 年以上 宽体 SOIC-16 封装和超宽体 SOIC-16 封装选项安全及管理批准:中的“安全及管理批准”列表中的“安全及管理批准”列表8000 VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V0884-10):2006-12符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的5.7kVRMS 隔离CSA 组件验收通知 5A,IEC 60950-1 和 IEC 60601-1终端设备标准 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证符合 EN61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证完成了所有 DW 封装认证;完成了符合 UL、VDE、TUV 标准的 DWW 封装认证并且已针对 CSA 和 CQC进行了规划 All trademarks are the property of their respective owners.

电路图、引脚图和封装图

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型号制造商描述购买
ISO7841FDWTIDGTLISO5.7KV4CH16SOIC 立即购买
ISO7841FDWWRTIDGTLISO5.7KV4CH16SOIC 立即购买
ISO7841DWWRTIISO7841 高隔离额定值、四通道、3/1、增强型数字隔离器 立即购买
ISO7841DWRTIISO7841 高隔离额定值、四通道、3/1、增强型数字隔离器 立即购买
ISO7841FDWWTIISO7841 高隔离额定值、四通道、3/1、增强型数字隔离器 立即购买
ISO7841DWWTIISO7841 高隔离额定值、四通道、3/1、增强型数字隔离器 立即购买

技术资料

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2015 年第 4 季度模拟应用期刊PDF1782 点击下载
推动高性能数字隔离技术PDF988 点击下载
适用于隔离栅极驱动器的共模瞬态抗扰度 PDF960 点击下载
所选封装材料的热学和电学性质PDF645 点击下载
Isolation GlossaryPDF51 点击下载
Digital Isolator Design GuidePDF487 点击下载
Isolation GlossaryPDF51 点击下载

应用案例更多案例

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IDC5QINA214-Q1INA301INA303
INA214INA226INA215-Q1INA300
INA240IRF4905PBFirf630INA125-DIE
INA271-HTINA210-Q1INA826INA333-HT
ISO7741IBIS4-6600ir2110INA213-Q1
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