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CSD25404Q3 封装图
新的CSD版本5.0.1可以从pro.bose.com下载。该版本有一系列新特性,包括工具及算法,方便设计者对Bose ControlSpace处理器、端点和PowerMatch功放进行音频处理和网络操作。
这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 沟道
这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET
这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
CSD88584Q5DC 40V 电源块是针对大电流电机控制应用(如手持式、无绳花园和电动工具)的优化设计。该器件采用 TI 的专利堆叠芯片技术,以最大限度地减少寄生电感,同时在节省空间的热增强型
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、双 N 通道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。这款 SON 3.3 × 3.3 mm 器件具有低漏极到漏极导通电阻,可最大限度地减少损耗,并为空间受限的应用提供较少的元件数量。
CSD86336Q3D NexFET™ 电源块是针对同步降压应用的优化设计,可在 3.3mm × 3.3mm 的小型外形中提供高电流、高效率和高频功能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,提供了一种灵活的解决方案,当与来自外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动器配对时,能够提供高密度电源。
CSD86356Q5D NexFET™ 电源块是针对同步降压应用的优化设计,可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高电流、高效率和高频功能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,提供了一种灵活的解决方案,当与来自外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动器配对时,能够提供高密度电源。
| C0603C475K9PACTU | CJ7805 | CAB-01 | CAT24C128 |
| CAT5273 | CAT93C46R | CAV24C02 | CAT25020 |
| CC3100 | CAT4238 | CNY174M | C2012X7R1H105M |
| CAT823 | CDCE925 | CAT93C76 | CAT24C512HU5IGT3 |
| CAV93C86 | CSD19536KTT | CPH6904 | CM1263-06DE |