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制造商：TI
CSD25404Q3 封装图
新的CSD版本5.0.1可以从pro.bose.com下载。该版本有一系列新特性，包括工具及算法，方便设计者对Bose ControlSpace处理器、端点和PowerMatch功放进行音频处理和网络操作。
这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 沟道
这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET
这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
CSD88584Q5DC 40V 电源块是针对大电流电机控制应用（如手持式、无绳花园和电动工具）的优化设计。该器件采用 TI 的专利堆叠芯片技术，以最大限度地减少寄生电感，同时在节省空间的热增强型
CSD86356Q5D NexFET™ 电源块是针对同步降压应用的优化设计，可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高电流、高效率和高频功能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，提供了一种灵活的解决方案，当与来自外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动器配对时，能够提供高密度电源。
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