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制造商：ADI/AD
优势和特点
−3 dB带宽RF1和RF4：DC至11 GHzRF2和RF3：DC至14 GHz
插入损耗： 0.26 dB（2.5 GHz，典型值）
隔离： 24 dB（2.5 GHz，典型值）
高线性度IIP3： 69 dBm（典型值）
开关导通时间： 30 µs（典型值）
导通电阻1.6 Ω（典型值）
电源电压： 3.3 V标称值
密封开关触点
启动寿命： 10亿周期（最小值）
集成驱动器兼容CMOS-/TTL并行接口
休眠模式电流： 1 µA功耗
24引脚5 mm × 4 mm × 0.95 mm LFCSP
欲了解更多信息，请通过电子邮件转发一份完整的 保密协议(NDA)(pdf) 至 MEMswitch@analog.com。
ADGM1304 封装图
ADGM1304电路图
ADGM1304 引脚图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADGM1304JCPZ-RL7 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| UG-644: Evaluating the ADGM1304 0 Hz/DC to 14 GHz, Single-Pole, Four-Throw MEMS Switch with Integrated Driver (Rev. A) | 498 | 点击下载 |
先进的数字处理器IC要求通过单独的DC参数和高速数字自动测试设备(ATE)测试，以达到质保要求。这带来了很大的成本和组织管理挑战。本文介绍 ADGM1001 SPDT MEMS开关如何助力一次性通过
解决早期RF MEMS开关解决方案的可靠性问题。ADI的ADGM1001（SPDT）声称致动寿命为100亿次循环，而Menlo的理想开关解决方案的额定驱动寿命为3亿次循环。
常用晶体管参数大全Daten ohne Gewahr 2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15
图形后部有气隙的铰链结构。该开关设计用于ADGM1304 SP4T MEMS开关和增强型ESD保护型ADGM1004 SP4T开关。
卓越的高速和直流性能：实现从DC到34 GHz的宽带宽是当今行业面临的挑战。ADGM1001在插入损耗、线性度、RF功率处理和R等关键参数领域提供从直流至34 GHz的领先性能。
先进的数字处理器IC要求通过单独的DC参数和高速数字自动测试设备（ATE）测试，以达到质保要求。这带来了很大的成本和组织管理挑战。本文将介绍ADGM1001 SPDT MEMS开关如何助力一次性通过
先进的数字处理器IC要求通过单独的DC参数和高速数字自动测试设备（ATE）测试，以达到质保要求，这带来了很大的成本和组织管理挑战。
为1295、1300、1304、1309nm，专门用于100G以太网长距离传输，在单模光纤跳线上可达到10千米的传输距离。 工作原理：
| ADM3485 | ADP5310 | AD9520-3 | AD5316R |
| AD5666 | AD7812 | AD8551 | ADG5436F |
| AD9215 | AD1877 | AD8042 | ADN2813 |
| ADN2841 | ADA4692-4 | AD7293 | ADV3203 |
| AD1852 | ADP120 | ADA4800 | ADS8353 |
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