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AO4407A

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MOS场效应管 AOS MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

 

中文数据手册

产品信息

规格参数

产品分类

场效应管(MOS管)

三极管及MOS管



FET配置(电路类型)

P沟道


漏源击穿电压V(BR)dss

30V


漏极电流(Id, 连续)

12A(Ta)


导通电阻 Rds(on)

11毫欧


阈值电压Vgs(th)

3V@250µA


最大耗散功率

3.1W


封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm宽)



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型号制造商描述购买
AO4407AAOSMOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC 立即购买

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