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    AO4407A

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    MOS场效应管 AOS MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

     

    中文数据手册

    产品信息

    规格参数

    产品分类

    场效应管(MOS管)

    三极管及MOS管



    FET配置(电路类型)

    P沟道


    漏源击穿电压V(BR)dss

    30V


    漏极电流(Id, 连续)

    12A(Ta)


    导通电阻 Rds(on)

    11毫欧


    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA


    最大耗散功率

    3.1W


    封装/外壳

    8-SOIC(0.154",3.90mm宽)



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    AO4407AAOSMOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8 立即购买

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