制造商:ADI/AD
优势和特点
初始精度:±2 mV(最大值)
温度系数:5 ppm/°C(最大值)
低电源电流:45 µA(最大值)
休眠模式:15 µA(最大值)
低压差
负载调整率:6 ppm/mA
线性调整率:4 ppm/V
高输出电流:30 mA
短路保护
产品详情
REF19x系列精密带隙基准电压源采用温度漂移曲率校正专利电路,并对高稳定性薄膜电阻进行激光调整,从而实现极低的温度系数和高初始精度。该系列由微功耗、低压差(LDV)器件组成,可利用仅比输出电压高出100 mV的电源提供稳定的输出电压,耗用的电源电流低于45 μA。通过对SLEEP 引脚施加低TTL或CMOS电平,可以使能休眠模式。在休眠模式下,输出关闭,电源电流进一步降至15 μA以下。
REF19x系列基准电压源的额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围,典型性能规格的温度范围为−40°C至+125°C,适合汽车等应用领域。
所有电气级产品均提供8引脚SOIC封装;仅最低电气级产品提供PDIP和TSSOP封装。
应用
便携式仪表
ADC 和 DAC
智能传感器
太阳能供电应用
环路电流供电仪表
数据手册, Rev. J, 3/08
REF19X应变传感器电路图
AD8295电源去耦电路及REF与输出对地连接电路图
致力于提供高品质芯片的国内优秀模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出REF1xx/3xx/4xx系列低温漂、高性能、微功耗、小封装的电压基准源
net的关键字,ref关键字--让参数按照引用传递。其效果是,当控制权传递回调用方法时,在方法中对参数所做的任何更改都将反映在该变量中;也等同将值类型的数据使用引用方式传参。若要使用ref参数,则方法定义和调用方法...
整个系统主要由信号预处理、信号选通、单片机采集、双机数据传输以及数据处理显示等模块构成。其中,信号选通模块由CPLD和多路模拟选择器组成。
近日,高新兴物联LTE Cat.1模组GM196家族再出新品:GM196-E模组上市,支持欧洲和亚太地区的4G/2G频段,并可以支持在全球得到广泛应用的LTE 450MHz (Band31)频段,进一步扩展GM196-E在智能表计、物流交通、公共安全、农业等多领域的应用。
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与领先的车规芯片企业芯驰科技面向智能座舱联合开发出参考设计“REF66004”。
HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。
REF191 | RAPID-V2X05 | RN52 | RE46C101 |
RN42 | RE46C162 | REF02 | REF196 |
RE46C121 | REF191 | RE46C141 | RN1810 |
REF195 | RKS7R5E | RDC1740 | RE46C109 |
RE46C168 | REF01 | RHYTHM SA3229 | RE46C107 |