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MOSFETs Toshiba SSM3J328R,LF
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- 品 牌：Toshiba(东芝)
- 型 号： SSM3J328R,LF
- 商品编号： G0038595
- 封装规格： SOT23F
- 商品描述： MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=29.8mΩ SOT23F
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT23F | |
零件状态 | Active | |
系列 | U-MOSVI | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | +150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
漏极电流 | 6A | |
阈值电压 | 1V@1mA | |
连续漏极电流 | 6A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 840pF@10V | |
类型 | P沟道 | |
原始制造商 | Toshiba Corporation | |
原产国家 | Japan | |
印字代码 | KFH | |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.80mm | |
高度 | 0.80mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 20V | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
反向传输电容Crss | 99pF | |
充电电量 | 12.8nC | |
额定功率 | 1W | |
功率耗散 | 1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29.8mΩ@4.5V,3A | |
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商品介绍
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=29.8mΩ SOT23F
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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SSM3J328R,LF 由 Toshiba 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stop 等渠道进行代购。 SSM3J328R,LF 价格参考￥ 0.32683 。 Toshiba SSM3J328R,LF 封装/规格： SOT23F, MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=29.8mΩ SOT23F。你可以下载 SSM3J328R,LF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SSM3J328R,LF
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