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MOSFETs APEC AP3P3R0MT
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产品分类 | ||
封装/外壳 | PMPAK5X6 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
阈值电压 | 3V | |
栅极电荷(Qg) | 76nC | |
连续漏极电流 | 60A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 9.4nF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Advanced Power Electronics Corp. | |
原产国家 | China Taiwan | |
认证信息 | RoHS,HF(halogen free) | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 5.75mm | |
高度 | 1.30mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
无卤 | Yes | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 680pF | |
额定功率 | 5W | |
功率耗散 | 69.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,20A | |
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商品介绍
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：5W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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