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MOSFETs TWGMC 2N7002 替代
- 品 牌：TWGMC(台湾迪嘉)
- 型 号： 2N7002
- 商品编号： G4731693
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
- 商品详情
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- 技术文档
- 用户评价
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | No | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
漏极电流 | 1µA | |
阈值电压 | 2.1V | |
栅极电荷(Qg) | - | |
连续漏极电流 | 115mA | |
输入电容 | 50pF | |
原始制造商 | Twgmc Electronics Co., Ltd. | |
原产国家 | China Taiwan | |
长x宽/尺寸 | 3.10 x 1.65mm | |
高度 | 1.40mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
充电电量 | OriginalnC | |
额定功率 | 200mW | |
功率耗散 | 200mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω | |
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商品介绍
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：2N7002 品牌：TWGMC(台湾迪嘉) | MOSFETs MOSFETs TWGMC 2N7002 | 数据手册 | 3420（1起订） | ¥0.07329 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.07329 100 +￥0.06844 300 +￥0.06359 500 +￥0.05873 2000 +￥0.05631 5000 +￥0.05485 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 其它微处理器 | --- | 8000（起订） | ¥70.02542 ▼ 数量国内含税 1000 +￥70.02542 | 2N7002(TWGMC)和STM32F429VGT6TR(ST)的区别 |
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