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WST2339

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P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-7.1A

 

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产品信息

规格参数

产品分类

MOSFETs

晶体管

FET配置(电路类型)

P沟道

漏源击穿电压V(BR)dss

20V

漏极电流(Id, 连续)

7.1A(Tc)

导通电阻 Rds(on)

17毫欧

阈值电压Vgs(th)

500mV@250µA

最大耗散功率

1.4W

封装/外壳

SOT-23-3L


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WST2339WINSOKP沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-7.1A 立即购买

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