TN2540

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MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 400V, 12 Ohm

中文数据手册

产品信息

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold (2.0V max.)

High input impedance

Low input capacitance (125pF max.)

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

电路图、引脚图和封装图

TN2540 封装图
TN2540 封装图

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型号	制造商	描述	购买
TN2540N3-G-P002	EDAC	895 SERIES (.100" (2.54MM) CONTA	立即购买
TN2540N8-G	Murata	贴片电容（MLCC） 0201 62pF ±5% 25V T2H	立即购买
TN2540N3-G	Bivar	LEDENGINEP32003000K48"STRIP	立即购买

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