
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二极管是一种超高性能的功率肖特基二极管。它是使用碳化硅衬底制造的。宽禁带材料允许的肖特基二极管结构的设计与600伏的评级。由于肖特基结构没有恢复是在关断和铃声模式显示可以忽略不计。最小的电容关断行为是独立的温度。
ST SiC二极管将促进在硬开关条件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Particularly suitable in PFC boost diode function
主要特点
没有或可以忽略不计的反向恢复
温度开关行为
在PFC升压二极管功能特别适合
STPSC1006电路图
STPSC1006 引脚图
STPSC1006 封装图
STPSC1006 封装图
ESD&EOS电路保护方案 鼎先电子提供高紧凑度、低电容、低漏电、超高稳定性的防护器件以及完善的器件组合。DFN1006、DFN0603、SOD-323F、DFN2020-3L等
其中,宁德时代截至昨日收盘涨幅为14.46%,当前总市值7956亿元,较上周五市值上升1006亿元,创下近3年以来最大单日涨幅。
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DFN1006超小体积网口保护ESD器件是一种用于保护网络设备免受静电放电损害的器件。该器件采用低电容和低电阻的设计,可以提供更好的信号完整性和更快的信号传输速度。
QORVO的QPA1006D是款宽带功率放大器MMIC,选用QORVO制造的0.15um GaN on SiC工艺技术(QGaN15)。QPA1006D包含10.7-12.7GHz,具备35瓦饱和
在城市基础设施中,合理的给排水管网建设与监测,可以有效的解决城市供水、雨污分流、水质监测等问题。
...敏电阻常用,工程师习惯用0402来衡量半导体ESD大小; DFN1006:此封装是欧美公司用于半导体ESD封装命名,此封装薄,产品功率受限制; DFN1006BP和DFN1006DN:是DFN10006的衍生,厚度不同,功率不同; DFN1006T3:体积是0402,但是双路结...
Littelfuse TVS二极管阵列(SPA系列)的最新成员提供了最高的ESD和浪涌保护,以及同类产品中最佳的箝位性能。
STPS0560Z | SSM2804 | STTH10LCD06 | SS8050 |
STPS0540Z | SMP18 | STPSC16H065C | SN54HC08-DIE |
SST49LF016C | SSM3582 | STK672-642AN-E | STTH20R04 |
STPS2H100-Y | STPS4045C-Y | STTH3002C | STPS3L60-Y |
STTH1R04-Y | SSM2804 | STPS40SM60C | SSM2603 |
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