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The compromise-free, high quality design of this diode has produced a device with low leakage current, regularly reproducible characteristics and intrinsic ruggedness. These characteristics make it ideal for heavy duty applications that demand long term reliability.
妥协的自由，高质量的半导体设计制作了具有低漏电流的装置，定期重复的特点和内在的坚固性。这些特性使其理想的重型应用，要求长期可靠性。
Ultrafast switching
Low reverse current
Low thermal resistance
Reduces switching and conduction losses
High junction temperature
ECOPACK®2 compliant component
主要特点
超快切换
低反向电流
低热阻
减少开关和传导损耗
高结温
®Ecopack 2兼容的组件
STTH30R04电路图
STTH30R04 引脚图
STTH30R04 封装图
STTH30R04 封装图
STTH30R04 封装图
STTH30R04 封装图
JK405R是一颗SOP16封装的录音芯片，专用于录音的应用，芯片内置了30秒的录音空间，同时还支持外扩
11月10日消息，今天华为Mate30 RS保时捷设计正式开卖。12GB内存+512GB存储，支持5G双模全网通，定价12999元。
文章目录 一、Rd-04引脚说明 二、Rd-04与STM32的接线 三、STM32驱动移植 四、 其他API说明及源码地址 前言 安信可雷达模组 Rd-04 已经出来一段时间了，怎么快速上手想必大家
今天下午，华为将在上海举办新品发布会，正式面向国内推出Mate 30系列。除了华为Mate 30、30 Pro以及Mate 30 RS保时捷设计之外，华为Watch GT2手表、FreeBuds3耳机、华为首款轻薄VR眼镜也将在发布会现场展区，我们看到了华为Mate 30 RS保...
每年的华为Mate系列旗舰手机都会有一款保时捷定制版，今年的Mate30也不例外。
继Mate 30 Pro之后，知名爆料人evleaks分享了Mate 30 RS保时捷设计的官方渲染图。
9月22日，华为中国官微放出了华为全新顶级旗舰华为Mate30 RS保时捷的设计宣传片。
MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代
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