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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NVMFD5C650NLWFT1G | - | - | 立即购买 |
| NVMFD5C650NLT1G | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
|---|---|---|---|
| DFN8 5x6, 1.27P Dual Flag (SO8FL-Dual) | 58 | 点击下载 | |
| Dual N-Channel Power MOSFET | 128 | 点击下载 | |
| PSpice Model | UNKNOW | 174 | 点击下载 |
| Spice2 Model | UNKNOW | 175 | 点击下载 |
| Saber Model | UNKNOW | 193 | 点击下载 |
2023年1月,广和通5G模组FG650-EAU率先完成CE认证并获得证书,这意味着FG650-EAU凭借出色的产品性能与稳定可靠的网络连接性符合欧盟通信市场的流通标准。搭载了FG650
C650卧式车床的电气操控原理图如下图所示。
2023年1月,广和通5G模组FG650-EAU率先完成CE认证并获得证书,这意味着FG650-EAU凭借出色的产品性能与稳定可靠的网络连接性符合欧盟通信市场的流通标准。搭载了FG650
2022年11月,广和通5GR16模组FM650-CN在OpenLab实验室顺利完成了5GLAN相关性能技术认证,充分验证了FM650-CN在5GLAN技术支持上完善的实用性,为后续终端设备商用化
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代
1月,广和通宣布,高性价比5G模组FM650-CN、FG650-CN已实现全面量产,加速5G超宽带应用,为5G云游戏、视频直播、高清视频播放等应用带来更优质的用户服务体验。 广和通5G模组FG650
| NC7SP05 | NCV8406B | NCP148 | NB3N1200K |
| NCP1622 | NCL30185 | NCP1076 | NCS20072 |
| NB3U23C | NLSV8T240MUTAG | NOM02A4-MW60G | NB3N3002 |
| NJL0281D | NVMFD5C650NL | NC7NZ14 | NCP1360 |
| NC7SV19 | NCV47722 | NCV7425 | NCP5183 |