NV25640

购买收藏

64-Kb SPI Serial EEPROM - Automotive Grade 0 (+150°C)

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

NV25640is 64 Kb Serial CMOS EEPROM Automotive grade device internallyorganized as 8Kx8 bits. It features a 32−byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial communication with the NV25xxx device. The device features software and hardware write protection, including partial as well as full array protection. Byte Level On−Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable for high reliability applications. The device offers an additional Identification Page which can be permanently write protected.

Automotive Temperatures Grade0: -40°C to +150°C/VCC = 2.5V to 5.5V
SOIC and TSSOP 8-Lead and Wettable Flank UDFN 8−pad Packages
20/ 10 MHz SPI Compatible
SPI Modes (0,0) & (1,1)
32-byte Page Write Buffer
Self-timed Write Cycle
Hardware and Software Protection
Block Write Protection
- Protect ¼, ½ or Entire EEPROM Array
Low Power CMOS Technology
100 Year Data Retention
Additional Identification Page with Permanent Write Protection
NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site andChange Control
Program/Erase Cycles: 4,000,000 at 25°C;1,200,000 at +85°C;600,000 at +125°C;300,000 at +150°C;
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant

在线购买

型号	制造商	描述	购买
NV25640DTHFT3G	-	-	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
TSSOP8, 4.4x3	PDF	54	点击下载
64-Kb SPI Serial CMOS EEPROM	PDF	200	点击下载

应用案例更多案例

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM
　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控
2010-10-21
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM
　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21
新一代NV SRAM技术
新一代NV SRAM技术第一代NV SRAM模块问世近20年来，NV SRAM技术不断更新，以保持与各种应用同步发展，同时满足新的封装技术不断增长的需求。发展与现状
2008-11-26
64Kbit非易失性铁电存储器FM25640B的功能及特征
...度或能源效率。本篇文章介绍64Kbit非易失性铁电存储器FM25640B。
2021-06-30
关于NV612X GaNFast™ 功率半导体器件的热处理
最新的纳微GaNFast 电源集成电路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm 的QFN封装内。这个封装增加了一个大的冷却片，用于降低封装的热阻和提高散热性能。这种封装使高密度电源的设计更加可靠，特别是对于没有气流的全封闭充电器和适配...
2020-07-16
Mobileye NV利用英特尔的技术开发激光传感器
据国外媒体报道，Mobileye NV正在利用母公司英特尔的芯片制造技术开发激光传感器。该公司表示，到2025年，自动驾驶汽车的价格将变得足够低廉，可以在消费者中普及开来。
2021-01-12
NVIDIA文本嵌入模型NV-Embed的精度基准
NVIDIA 的最新嵌入模型 NV-Embed —— 以 69.32 的分数创下了嵌入准确率的新纪录海量文本嵌入基准测试（MTEB）涵盖 56 项嵌入任务。
2024-08-24
赛普拉斯NV-SRAM的解决方案，它的优势是什么
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围
2020-12-22

系列产品索引查看所有产品

NLSX3373	NB3N51032	NLSV1T244	NB7VQ572M
NB3N1900K	NLX1G74	NCP5623C	NCL30059
NB3U1548C	NB2304A	NC7SV19	NVMFD5C470N
NCP1256	NLSX4014	NCP718	NCV7704
NCV7535	NCP305	NCS2220	NTMFS5H414NLT1G

元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}