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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NVD5C464NT4G | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252 | 33 | 点击下载 | |
| Power MOSFET | 154 | 点击下载 | |
| Pspice Model | UNKNOW | 175 | 点击下载 |
| Saber Model | UNKNOW | 193 | 点击下载 |
| Spice2 Model | UNKNOW | 175 | 点击下载 |
| Spice3 Model | UNKNOW | 175 | 点击下载 |
仁懋电子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
仁懋电子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借500V耐压、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
HMC464LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器，采用5x5 mm无引脚表贴封装，在2 GHz到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供14 dB增益、+30 dBm
近日，小米AI眼镜惊艳亮相，采用芯导科技超小封装高性能OVP IC（选用型号为P14C5N），以及超小封装ESD、超小封装SBD等多款产品，实现超轻超薄与丰富功能的精妙结合。
在电子设计领域，MOSFET 作为关键组件，其性能对电路的整体表现起着决定性作用。今天，我们将深入探讨 onsemi 推出的 NVMFS5C645N 这款 N 沟道功率单 MOSFET，详细剖析其特性、参数以及应用潜力。
在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是不可或缺的关键元件。今天，我们聚焦于ON Semiconductor推出的一款单N沟道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C，深入剖析其特性、参数及应用场景。
在电子设备的设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关元件，其性能的优劣直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨 onsemi 推出的 NVMFS5C604N 单通道 N 沟道 MOSFET，这款产品在众多方面展现出了令人瞩目的特性。
安森美 (onsemi) NVD5867NL单N通道功率MOSFET的漏源电压为60V，最大漏源导通电阻为39mΩ。该N通道MOSFET的R ~DS(on)~ 值低，可最大限度地减少导通损耗，并具有
| NCV7430 | NTMFS5C645N | NXH80B120H2Q0SG | NB3N106K |
| NBA3N200S | NB7VQ58M | NCP1075 | NBA3N201S |
| NLSV8T240MUTAG | NV24C08WF | NSVF4020SG4 | NCP380 |
| NCV51460 | NL3S325 | NCL30073 | NCS2202 |
| NB6L572M | NZF220TT1 | NV25160 | NCP1253 |
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