NVD5C464N

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• 选型手册：MOT5N65C 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  仁懋电子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等

  2025-10-30
• 选型手册：MOT5N50C 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  仁懋电子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借500V耐压、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等

  2025-10-29
• HMC464LP5宽带功率放大器，采用SMT封装，2-20GHz技术手册

  HMC464LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器，采用5x5 mm无引脚表贴封装，在2 GHz到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供14 dB增益、+30 dBm

  2025-03-20
• 小米AI眼镜应用芯导科技OVP IC产品P14C5N

  近日，小米AI眼镜惊艳亮相，采用芯导科技超小封装高性能OVP IC（选用型号为P14C5N），以及超小封装ESD、超小封装SBD等多款产品，实现超轻超薄与丰富功能的精妙结合。

  2025-07-03
• ‌NVD5867NL 单N沟道功率MOSFET技术详解

  安森美 (onsemi) NVD5867NL单N通道功率MOSFET的漏源电压为60V，最大漏源导通电阻为39mΩ。该N通道MOSFET的R ~DS(on)~ 值低，可最大限度地减少导通损耗，并具有

  2025-11-21
• 小米5C发布：小米5C搭载松果处理器“澎湃S1”，1999元，3月3日发售

  14点，小米在北京国家会议中心召开发布会，正式发布旗下首款自研手机芯片小米松果处理器。小米松果首款自主研发手机芯片被命名为“澎湃S1”。

  2017-02-28
• 什么是3N、4N、5N高纯氧化铝的概念及应用

  高纯氧化铝是一种白色结晶粉末，通常分为三种类型:3N(纯度99.9%)、4N(纯度99.99%)和5N(纯度99.999%)。高纯度氧化铝具有良好的烧结性能、分散性和孔隙度多等特性。4N高纯氧

  2022-10-11
• 小米5c评测：小米5c和荣耀8青春版对比评测，都搭载自家处理器，你喜欢谁？

  小米刚刚发布了自家小米松果研发的处理器澎湃s1，这是继华为之后，国内第二家手机厂商自主研发处理器的，希望除了华为小米之外，其它的手机厂商，魅族、锤子、OPPO等要加油了，也研发自己的处理器，那个时候手机圈可就...

  2017-03-01

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