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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| N25S830HAT22I | ON | 这是一款256 Kb的串行SRAM,内部组织为32 K x 8-Bit。采用先进的CMOS技术制造,具有高速性能和低功耗。支持单个片选(CS)输入,使用简单的SPI串行总线。包括HOLD引脚,用于暂停通信。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于多种标准封装。 | 立即购买 |
| N25S830HAS22I | ON | 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 8 K 个词,每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造,速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚,可实现与要暂停器件的通信。暂停后,输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行,采用若干标准封装。 | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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| 256 kb Low Power Serial SRAMs | 92 | 点击下载 | |
| SOIC-8 | 36 | 点击下载 | |
| Medical Solutions Brochure | 4096 | 点击下载 | |
| TSSOP 8 LEAD 3.0x4.4x1.1 mm | 68 | 点击下载 |
晶心科技为提供32及64位高效能、低功耗、精简RISC-V CPU处理器核心的领导供货商,今日宣布其Corvette-F1 N25平台领先成为取得Amazon FreeRTOS资格的RISC-V平台之一。
在现代电力电子行业中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种高效的功率开关器件,广泛应用于各类电力转换设备。TRINNO(特瑞诺)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越
The M4N25 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diodeoptically coupled to a silicon NPN phototransistor detector.•
4N25 4N28波形电路图
4N25 4N28电路图(A)
4N25 4N28电路图(B)
DN25的管脚配置和内部结构框图
DN25的典型应用电路 DN25的典型应用电路如图所示。输入电压V1为25V稳定度为0.12
| NTMFS6H800N | NC7NZ04 | NSM4002MR6 | NCP5623D |
| NC7ST86 | NB3N4666C | NCP1250 | NCP5006 |
| NUF3102 | NCS325 | NUF2114 | NB3W1200L |
| NUD3105 | NB100LVEP222 | NTP082N65S3F | NBXDBA009 |
| NCP51402 | NCP81381 | NCP2809 | NCP1075 |