MC14050B

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Hex Buffer

制造商：ON

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产品信息

The MC14049B Hex Inverter/Buffer and MC14050B Noninverting Hex Buffer are constructed with MOS P-Channel and N-Channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS devices find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. These devices provide logic level conversion using only one supply voltage, V
.
The input-signal high level (V
) can exceed the V
supply voltage for logic level conversions. Two TTL/DTL loads can be driven when the devices are used as a CMOS-to-TTL/DTL converter (V
= 5.0 V, V
OL >=3.2 mA).
Note that pins 13 and 16 are not connected internally on these devices; consequently connections to these terminals will not affect circuit operation.

High Source and Sink Currents
High-to-Low Level Converter
Supply Voltage Range = 3.0 V to 18 V
V
can exceed V
Meets JEDEC B Specifications
Improved ESD Protection On All Inputs
Pb-Free Packages are Available*

电路图、引脚图和封装图

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型号	制造商	描述	购买
NLV14050BDTG	ON	MC14049B 六路逆变器/缓冲器和 MC14050B 非逆变六路缓冲器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些互补 MOS 器件主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 即可提供逻辑电平转换。输入信号高电平 (VIH) 可能超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当器件用作 CMOS-to-TTL/DTL 转换器（VDD = 5.0 V，VOL <= 0.4 V，IOL >= 3.2 mA）时，可以驱动两个 TTL/DTL 负载。请注意，引脚 13 和 16 不能内部联接这些器件；后续联接这些端子不会影响电路运行。	立即购买
NLV14050BDG	ON	MC14049B 六路逆变器/缓冲器和 MC14050B 非逆变六路缓冲器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些互补 MOS 器件主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 即可提供逻辑电平转换。输入信号高电平 (VIH) 可能超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当器件用作 CMOS-to-TTL/DTL 转换器（VDD = 5.0 V，VOL <= 0.4 V，IOL >= 3.2 mA）时，可以驱动两个 TTL/DTL 负载。请注意，引脚 13 和 16 不能内部联接这些器件；后续联接这些端子不会影响电路运行。	立即购买
NLV14050BDR2G	ON		立即购买
MC14050BDTG	ON		立即购买
MC14050BDTR2G	ON	IC BUFFER NON-INVERT 18V 16TSSOP	立即购买
MC14050BDG	ON		立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
Hex Buffer	PDF	125	点击下载
IBIS Model for MC14050BCP	UNKNOW	5	点击下载
IBIS Model for MC14050BD	UNKNOW	5	点击下载
SOIC 16 LEAD	PDF	37	点击下载
TSSOP-16	PDF	40	点击下载
MC14049B_PKG.GIF	UNKNOW	16	点击下载

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