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制造商：ADI/AD
优势和特点
自动栅极电压调整(（无需校准）)
电源电压： 5V至16.5V
为增强型或耗尽型器件提供合适的偏置
可调漏极电流最高可达1.6 A
流入或流出栅极电流
可产生内部负电压
可以通过禁用来使用外部负供电轨
快速使能/禁用
触发输出用于菊花链配置
上电和掉电序列
内置迟滞的过流/欠流报警
裸片尺寸： 1.4 x 2.26 x 0.25mm
产品详情
HMC980是一款有源偏置控制器，可自动调整外部放大器的栅极电压，从而实现恒定的偏置电流。 HMC980集成控制器，实现了安全的电源开/关、禁用/使能和自动供电序列，从而保证外部放大器的安全性。 它可用于为A级区（漏极电压(VDRAIN)为5V至16.5V，漏极电流(IDRAIN)最大为1.6A）的增强和耗尽型放大器提供合适的偏置，提供了完整的偏置解决方案。
HMC980实现了出色的电压、温度、工艺偏置稳定性，避免了由此引起的射频性能下降通常所需的校准过程。此处显示的所有数据均采用合适的探头测得。
应用
微波无线电和VSAT
军事和太空
测试仪器仪表
光纤调制器驱动器偏置
CATV激光驱动器偏置
蜂窝基站
无线基础设施设备
Hittite Microwave Corporation近期扩展了直流偏置控制芯片产品线，推出了HMC980管芯。HMC980是一款大电流的有源偏置控制管芯，是管理和控制射频放大器偏置的理想选择。HMC980可应用于移动通信
PA的目标漏极电流由Pin20的电阻设定。为了获得稳定的偏置电流，R10需要选用高精度以及温度系数小的电阻元件。由于HMC980内部的开关管本身具有阻抗，因而Vdd可以根据后级PA所需要的漏极电压加上该开关管上消耗的电压。
MOSAID Technologies今天宣布，他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的 NAND闪存芯片，让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。
SK海力士近日悄然在其产品目录中增加了16Gb(2GB)容量的单Die DDR4内存颗粒，不仅可以使用更少的芯片打造大容量内存条，还为单条256GB内存条铺平了道路。
第一款即将于今年秋天推出的VR体验是基于《无敌破坏王2：大闹互联网》改编而成，被命名为“Ralph Breaks VR”。而第二款体验则是根据一部即将在2019年上映的尚未公开的漫威电影改编，目前还未公布确切信息。漫威将于2019年推...
三月份首次公开展示之后，三星电子今天宣布，已经全球第一个开始量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条，主要面向企业和云服务应用。
在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技术，Intel的单Die升级到了512Gb，不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES 2018上才知晓。
SSI芯片必须了解的基本问题
| HMC-C047 | HMC-C007 | HMC221B | HMC1121 |
| HV219 | HMC648A | HMC337 | HMC745 |
| HMC562 | HMC862A | HMC578LC3B | HMC431 |
| HMC529 | HMC490-Die | HMC812A | HMC-C070 |
| HMC519-Die | HMC751 | HMC1087-Die | HMC508 |
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