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制造商：ADI/AD
优势和特点
无源： 无需直流偏置
高输入IP3： +22 dBm
高LO/RF隔离： 35 dB
宽IF带宽： DC - 10 GHz
上变频和下变频应用
裸片尺寸： 1.36 x 0.96 x 0.1 mm
产品详情
HMC774A是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作7至43 GHz频率范围的上变频器或下变频器。 此混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC774A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能。 该混频器采用+13 dBm的LO驱动电平工作。 HMC774A宽带混频器具有一致的转换增益和带宽抑制性能。 HMC774A还可作为SMT形式的HMC774ALC3B提供。
应用 s
点对点无线电
点对多点无线电和VSAT
测试设备和传感器
军用最终用途
HMC774A-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC774A-SX | - | - | 立即购买 |
| HMC774A | - | - | 立即购买 |
随着移动通信技术的发展，系统越趋复杂，同时产品集成度要求也越来越高，系统级封装（SiP）成为了最具潜力的候选方案之一，其将不同制程工艺节点的裸芯片Die集成在一个封装里，在满足器件高性能需求的同时，也减少了芯片设计公司的研发成本和时间。
三星B-Die DDR4内存颗粒堪称一段行业传奇，无论厂商还是高端玩家、发烧友都非常喜欢它，其出色的性能和超频性备受青睐，几乎成了高端内存条的标配。
AMD不久前刚刚发布了代号Rome（罗马）第二代EPYC霄龙处理器，拥有7nm工艺和Zen 2架构，而且采用了chiplet小芯片设计，集成最多八个CPU Die和一个IO Die设计非常独特。
Texas Instruments TLV774低压差 (LDO) 线性稳压器设计用于提供具有高PSRR的电压源。这些小型稳压器具有负载和线路瞬态性能，可满足各种电路的要求。TLV774 LDO
DAF胶膜，全称芯片粘接薄膜（Die Attach Film），又称固晶膜或晶片黏结薄膜，是半导体封装中的关键材料，用于实现芯片（Die）与基板（Substrate）或框架（Lead Frame）之间的高性能、高可靠性连接。这种连接直接决定了器件的机械强度、导热性能和长期可靠性。
DDR4的单、双DIE兼容仿真案例
HMC642A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差
Multi-Die系统的基础构建，亦是如此，全部都需要细致入微的架构规划。 对于复杂的Multi-Die系统而言，从最初就将架构设计得尽可能正确尤为关键。 Multi-Die系统的出现，是为了应对设计规模增加和系统复杂性给摩尔定律有效性带来的挑战。Mult
| HCPL2530M | HMC1110 | HMC516LC5 | HMC-C088 |
| HMC821 | HMC-APH473 | HMC-ALH444 | HMC684 |
| HV5308 | HMC241AQS16 | H11A1M | HMC392A-Die |
| HMC264LM3 | HMC687 | HV860 | HMC3716 |
| HMC349ALP4CE | HMC723LC3C | HMC1161 | HMC7357 |
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