
制造商:ADI/AD
优势和特点
支持高数据速率: 高达13 Gbps
差分和单端操作
传播延迟: 95 ps
快速上升/下降时间: 19 / 18 ps
可编程差分输出电压摆幅: 600 - 1100 mV
低功耗: 230 mW(典型值)
单电源: -3.3V
16引脚3x3mm SMT封装: 9mm²
产品详情
HMC722LP3E是一个AND/NAND/OR/NOR功能,旨在支持最高13 Gbps的数据传输速率和高达13 GHz的时钟频率。 HMC772LP3E可轻松配置为提供以下任何逻辑功能: AND、NAND、OR或NOR。 HMC722LP3E还具有输出电平控制引脚VR,可用于损耗补偿或信号电平优化。
HMC722LP3E的所有输入信号都通过50 Ω电阻片上端接到地,并支持直流或交流耦合。 HMC722LP3E的差分输出可以为直流或交流耦合。 输出可以直接连接到50 Ω接地端接系统,如果采用50 Ω端接至非接地直流电压,则可以使用隔直电容。 HMC722LP3E采用-3.3V DC单电源供电,采用符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装。
应用
RF ATE应用
宽带测试和测量
串行数据传输高达13 Gbps
数字逻辑系统高达13 GHz
NRZ-RZ转换
HMC722LP3E电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
HMC722LP3ETR | - | - | 立即购买 |
HMC722LP3E | - | - | 立即购买 |
Hittite公司推出的HMC902和MC903,HMC902LP3E和HMC903LP3E四款MMIC低噪声放大器,覆盖频率从5到 18GHz,适用于汽车电子、宽带、微波、卫星通信等领域。
HMC981LP3E是一款有源偏置控制器,可自动调整外部放大器的栅极电压,从而实现恒定的偏置电流。 它可用于为A级区(漏极电压为4V至12V,漏极电流最大为200mA)的增强和耗尽型放大器提供合适的偏置,提供了完整的偏置解决方案。
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA),提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA),通过可选偏置控制实现自偏置,以降低IDQ
及+24 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、采用+3V单电源供电和隔直RF I/O,该自偏置LNA非常适合混合和MCM组件应用。 HMC566LP4E采用符合RoHS标准的封装,无需线焊,可以使用高容量表贴制造技术。 HMC566LP4E还提供HMC566芯片形式。
HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封装放大器可用作级联50 Ohm
HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz,采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成,采用3 V
HMC981LP3E是一款有源偏置控制器,可自动调整外部放大器的栅极电压,从而实现恒定的偏置电流。它可用于为A级区(漏极电压为4V至12V,漏极电流最大为200mA)的增强和耗尽型放大器提供合适的偏置
HMC1084 | HMC712A | HMC-C079 | HMC-C043 |
HMC391 | HV9912 | HMC866 | HMC265LM3 |
HMC349AMS8G | HMC760 | HMC618A | HMC-APH462 |
HMC749 | HMC590-Die | HMC848 | HMC536MS8G |
HMC765 | HMC6980 | HMC8410 | HMC-VVD104 |
元器件业务:
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