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制造商：ADI/AD
优势和特点
高输入IP3： +23 dBm
转换增益： 7.5 dB
低LO驱动： 0 dBm
高通道隔离
40引脚6x6mm SMT封装： 36mm²
产品详情
HMC683LP6C(E)是一款高线性度、双通道下变频器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封装，工作频率为0.7 - 1.0 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+23 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+11 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换增益典型值为7.5 dB。 60 - 500 MHz的IF频率响应能够满足各种GSM/CDMA接收频率规划要求。
应用
蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G
基站和中继器
GSM、CDMA和OFDM
双通道密度接收机
HMC683电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC683LP6CETR | - | - | 立即购买 |
| HMC683LP6CE | - | - | 立即购买 |
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霍尼韦尔 HMC5883L 是一种表面贴装的高集成模块，并带有数字接口的弱磁传感器芯片，应用于低成本罗盘和磁场检测领域（指南针、GPS）。 HMC5883L 包括最先进的高分辨率 HMC
HMC574AMS8E是8引线MSOP封装中的低成本SPDT开关，用于发射/接收应用，在高入射功率水平下需要非常低的失真。
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
HMC624A是一款6位数字衰减器，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定频率范围内提供出色的衰减精度和高输入线性度。不过，该数字
HMC773A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。该混频器采用13 dBm或以上的LO驱动电平工作，具备出色的性能。HMC773A无需线焊，可以使用表贴制造技术。
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之间的高效GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC功率放大器。
HMC544A和HMC544AE是6引脚SOT26封装中的低成本SPDT交换机，用于在中等功率水平下需要非常低插入损耗的发射-接收应用。
| HMC683 | HMC684 | HV2605 | HMC666 |
| HMC553A | HMC-C044 | HMC591LP5 | HMC910 |
| HMC346AMS8GE | HMC571LC5 | HMCAD5831 | HMC-C035 |
| HMC907APM5E | H11L1M | HMC392 | HMC8114 |
| HMC383-Die | HMC981-Die | HMC370 | HMC8193 |
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