购物车0
购物车元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}
国内交货{{ gnNumber }}香港交货{{ hkNumber }}
购物车中还没有商品，赶紧选购吧
制造商：ADI/AD
优势和特点
高输出功率： +17 dBm
低输入功耗驱动： -2至+6 dBm
Fo隔离： >20 dBc（Fout = 24 GHz时）
100 kHz SSB相位噪声： -132 dBc/Hz
单电源： +5V (82 mA)
裸片尺寸： 1.18 x 1.23 x 0.1 mm m
产品详情
THMC576是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在24 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。 HMC576非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。
应用
时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64
点对点和VSAT无线电
测试仪器仪表
军事电子战/雷达
太空
HMC576-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC576-SX | - | - | 立即购买 |
| HMC576 | - | - | 立即购买 |
HMC-APH518是一款两级GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器，工作频率范围为21至24 GHz。 HMC-APH518提供17 dB增益，采用+5V电源电压时具有+30.5 dBm输出功率（1 dB压缩）
昨夜我们欣赏了AMD二代霄龙处理器的红外线透视照，来自德国硬件媒体HardwareLuxx的大神级人物OC_Burner，但是翻阅资料发现，这并不是他第一次如此对待AMD处理器，此前就已经以同样的方式观察过三代锐龙，但好像没有引起多少人...
Multi-Die设计是一种在单个封装中集成多个异构或同构裸片的方法，虽然这种方法日益流行，有助于解决与芯片制造和良率相关的问题，但也带来了一系列亟待攻克的复杂性和变数。尤其是，开发者必须努力确保
随着移动通信技术的发展，系统越趋复杂，同时产品集成度要求也越来越高，系统级封装（SiP）成为了最具潜力的候选方案之一，其将不同制程工艺节点的裸芯片Die集成在一个封装里，在满足器件高性能需求的同时，也减少了芯片设计公司的研发成本和时间。
简单来说，Die（发音为/daɪ/，中文常称为裸片、裸晶、晶粒或晶片）是指从一整片圆形硅晶圆（Wafer）上，通过精密切割（Dicing）工艺分离下来的、单个含有完整集成电路（IC）功能的小方块。
DAF胶膜，全称芯片粘接薄膜（Die Attach Film），又称固晶膜或晶片黏结薄膜，是半导体封装中的关键材料，用于实现芯片（Die）与基板（Substrate）或框架（Lead Frame）之间的高性能、高可靠性连接。这种连接直接决定了器件的机械强度、导热性能和长期可靠性。
HMC8401是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC8401是一款宽带低噪声放大器，工作频率范围为DC至28 GHz.该放大器提供
DDR4的单、双DIE兼容仿真案例
| HV2301 | HMC1018 | HMC536MS8G | HCPL0700 |
| HV2731 | HMC463LH250 | HMC629A | HMC529 |
| HMC462LP5 | HMC826 | HV2321 | HMC326 |
| HMCAD1511 | HMC247 | HMC-C073 | HMC363-Die |
| HMC1119 | HMC939ALP4E | HMC778 | HMC726 |
上传BOM
工商网监