
制造商:ADI/AD
优势和特点
增益: 14 dB
饱和功率: +20 dBm (20% PAE)
单电源电压: +5V,提供可选的栅极偏置
50 Ω匹配输入/输出
16引脚3x3mm SMT封装: mm²
产品详情
HMC441LP3(E)是一款宽带GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为6.5至13.5 GHz。 该无铅塑料QFN表贴封装放大器提供14 dB增益,饱和功率为+20 dBm(20% PAE时),电源电压为+5V。 提供可选的栅极偏置,以便调节增益、RF输出功率和直流功耗。 50 Ω匹配放大器无需任何外部元件,非常适合用作线性增益模块或HMC SMT混频器驱动器。
应用
点对点无线电
点对多点无线电
VSAT
HMC混频器LO驱动器
军用EW和ECM
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA),提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA),通过可选偏置控制实现自偏置,以降低IDQ
及+24 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、采用+3V单电源供电和隔直RF I/O,该自偏置LNA非常适合混合和MCM组件应用。 HMC566LP4E采用符合RoHS标准的封装,无需线焊,可以使用高容量表贴制造技术。 HMC566LP4E还提供HMC566芯片形式。
Hittite推出低噪声可编程分频器HMC794LP3E 近日,Hittite全新推出一款低噪声可编程分频器HMC794LP3E。该产品采用QFN SMT封装,非常紧凑的封装在一个3*3mm芯
HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封装放大器可用作级联50 Ohm
Hittite宽动态范围的功率检波器HMC860LP3E 日前,全球知名的射频微波IC厂商Hittite公司面向宽带、3G、Winmax、自动化以及4G应用领域推出了基于SiGe BiCMOS工艺的功率检波器HMC71
HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz,采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成,采用3 V
基于单片微波集成电路的极低噪声可编程分频器HMC862LP3E 和HMC905LP3E,非常适用于100MHz~15GHz 的测试仪器,实验室系统及各种军事应用的信号生成模块。 HMC862LP3E 和HMC90
HMC546MS8G | HMC814-Die | HMC-C032 | HMC995 |
HMC415 | HMC363G8 | HMC712 | HMC1197 |
HMC7590 | HMC1010 | HMC306A | HMC952A |
HMC338LC3B | HMC574 | HMC659LC5 | HMC407 |
HMC342LC4 | HMC716A | HMC392A-Die | HMC655LP2E |
元器件业务:
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0731-85351037
PCB/SMT/PCBA业务:
0755-83688678
周一至周五(9:00-12:00 13:30-18:30)节假日除外
投诉电话:19925199461
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