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制造商：ADI/AD
优势和特点
宽带宽：DC - 14 GHz
低相移和衰减
衰减范围：30 dB
简化电压控制
3 x 3 x 1 mm SMT封装
产品详情
HMC346ALP3E是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，采用低成本无引脚表贴塑料封装，工作频率范围为DC - 14 GHz。它集成了片内基准电压衰减器，可配合外部运算放大器使用，提供0至-5V的简单单电压衰减控制。该器件非常适合模拟直流控制信号必须在30 dB幅度范围内控制RF信号电平的设计。该VVA为HMC121C8的出色替代器件。
应用
基站基础设施
光纤和宽带通信
微波无线电和VSAT
军用无线电、雷达和ECM
测试仪器仪表
HMC346ALP3E电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC346ALP3E | - | - | 立即购买 |
700 MHz至3800 MHz RF带宽应用，包括蜂窝/3G、LTE/WiMAX/4G。 与传统的窄带下变频器不同，HMC1190ALP6NE在RF频率范围同时支持高端和低端LO注入。 RF和LO输入端口内部匹配50 Ω。
安科瑞 程瑜 功能： ALP200、ALP220、ALP320 系列智能型低压线路保护器（以下简称ALP），适用于额定电压至AC660V、额定电流至AC400A、额定频率为 50/60Hz的低压系统
安科瑞程瑜 概述 ALP200、ALP220、ALP320 系列智能型低压线路保护器（以下简称ALP），适用于额定电压至AC 660V、额定电流至AC 400A、额定频率为50/60Hz 的低压系统
HMC427ALP3E是一款低损耗宽带正控制转换开关，采用无引脚表贴封装。 该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。 该开关采用0/+5V正控制电压工作，所需固定偏置为+5V (< 20 μA)。
HMC349ALP4CE 是一款工作频率范围为 100 MHz 至 4 GHz 的砷化镓 (GaAs) 单刀双掷 (SPDT) 开关。 HMC349ALP4CE 具有隔离度高 (62 dB
HMC345ALP3E是一款宽带非反射GaAs MESFET SP4T开关，采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。该开关还集成了板载二进制解码电路，将所需逻辑控制线减至两条。该开关采用0/+5V正控制电压工作，所需固定偏置为+5V。
HMC344ALP3E是一款宽带、非反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。该开关具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。 该
HMC322ALP4E是一款宽带非反射GaAs MESFET SP8T开关，采用低成本无引脚表贴封装。 该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。 该开关还集成了片内二进制解码电路
| HMC733 | her107 | HMC-C071 | HMC566LP4E |
| HMC778 | H11AA4M | HMC244A | HMC959 |
| HMC338-Die | HMC656-Die | HMC736 | HMC492 |
| HMC-AUH320 | HV9801A | HMC493 | HMC463LH250 |
| HMC394 | HMC1035 | HMC-C046 | HMC-C055 |
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