制造商:ON
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FMS6141S5X | - | - | 立即购买 |
FMS6141CSX | - | - | 立即购买 |
...格贵还需要涉及其他被动器件的更改,STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216, IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的...
台北和美国加州讯,2023年 8月9日—全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技 (NasdaqGS: SIMO) 今日宣布于8月8日至10日在美国加州圣塔克拉拉举行的FMS 2023 (Flash
EMI辐射近场测试是一种相对量测试,它可以把被测件的测试结果与基准件的测试结果进行比较,以预测被测件通过一致性测试的可能性,并且通过探头的检测能快速精准的告诉工程师。
Semtech推出FMS LoRa®组网解决方案
8月8日-10日, 全球闪存峰会FMS2023 将在美国加州圣克拉拉会议中心隆重举行。作为国际闪存行业的盛会,FMS2023将展示闪存最新进展,聚焦DRAM、DNA数据存储、UCIe、CXL
用FMS7401型功率控制器设计的数字调光荧光灯镇流器 为了控制预热时间、最低与最高驱动频率及正常工作频率等各种参数,模拟电子镇流器的控制器外
fsmc就是为了扩展内存的,如我们在STM32芯片外添加一个sram芯片,那么我们只需要把 sram芯片的地址线和数据线和STM32连接后,然后将内核规定的地址数赋给sram的地址,那么我们就可以通过内核规定的地址去访问sram芯片了。
根据FPGA芯片加载时序分析,本文提出了采用通过市面上常见的Flash ROM芯片替代专用PROM的方式,通过DSP的外部高速总线进行FPGA加载;既节约了系统成本,也能达到FPGA上电迅速加载的目的
FGAF40N60UF | FSB50550AB | FGA40S65SH | FAN8303 |
FUSB2805 | FAN3227T_F085 | FDPF8D5N10C | FAN73933 |
FL77904 | FOD260L | FSB70450 | FT8010 |
FOD8314 | FL77905 | FAN7361 | FAN49101 |
FSB50550BS | FPF2895 | FSQ0765RQ | FT7522 |