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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA30T65SHD | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-3P-3LD / EIAJ SC-65, ISOLATED | 57 | 点击下载 | |
| FGA30T65SHD - 650 V, 30 A Field Stop Trench IGBT | 761 | 点击下载 | |
| PSPICE | RAR | 28 | 点击下载 |
| SIMetrix SPICE | RAR | 34 | 点击下载 |
| LTspice | RAR | 106 | 点击下载 |
| PSPICE | RAR | 35 | 点击下载 |
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT设计采用获得专利的先进沟槽式栅极场终止型结构。STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG为
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG在
GaN:RX65T300 HS2A是一种基于氮化镓技术的功率器件，具有较低的导通电阻和开关损耗、高的开关速度和可靠性。其特点和优势如下：1. 低导通电阻：GaN:RX65T300 HS2A的导通电
好IGBT选FHA60T65A型号，代换FGH60N60SMD型号参数的IGBT也是选FHA60T65A型号。
对于后极逆变电路中的Two-level要选择FHA60T65A型号的IGBT单管来应用。尤其是对于单相光伏逆变器的产品，为何？
安森美 (onsemi) AFGB30T65RQDN绝缘栅极双极晶体管（IGBT）可为汽车应用提供最佳性能。 该IGBT具有大电流能力、快速开关、高输入阻抗和收紧的参数
深圳芯晶图电子技术有限公司供应SLN30P03T美浦森P沟道-30V-30ADFN3*3-8MOS管，原装，库存现货热销SLN30P03T参数：-30V-30ADFN3*3-8P沟道MOS管品牌：美
深圳市芯晶图电子技术有限公司供应SLN30P03T美浦森-30V-30ADFN3*3-8P沟道MOS管，原装，库存现货热销SLN30P03T参数：-30V-30ADFN3*3-8P沟道MOS管品牌
| FAN8303 | FIN3385 | FSB50450A | FAN23SV06PAMPX |
| FXMAR2102 | FGH40N60UFD | FAN3122C | FERD30SM100S |
| FL6630 | FLS1800XS | FAN2503 | FAN6291QF |
| FGH40N60SMD | FJV3104R | FAN3180 | FCP190N65S3R0 |
| FAN302UL | FUSB302T | FSL126HR | FFSH20120ADN |
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