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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGH50N3 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-247-3LD | 59 | 点击下载 | |
| FGH50N3-D.pdf | 485 | 点击下载 |
...公司与珠海博雅科技有限公司共同宣布，博雅科技研发的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海华力领先流片成功，现已成功量产。该产品是国内首颗50nm 256M NOR Flash，产品性能参数指标和国际一线品牌同类产品相比，达到同一水平...
陆芯科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT单管，产品型号为YGW50N120TMA1。产品采用LUXIN FS-Trench GEN3平台，PitchSize 1.6um，TO247封装。
紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司，宣布推出业界先进的50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。
仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
仁懋电子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、低栅极电荷及快速开关特性，适用于各类开关应用场景。一、产品基本信息器件类型：N
仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
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