FFSH40120ADN

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• 国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度

  1200V/40A，TO-247封装的SiC二极管来提高系统功率密度，本文主要讲到国产基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC，该器件可以和WOLFSPEED的C

  2022-09-29
• 国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度

  1200V/40A，TO-247封装的SiC二极管来提高系统功率密度，本文主要讲到国产基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC，该器件可以和WOLFSPEED的C

  2022-09-29
• 华为携手EANTC启动数据中心网络ADN分级测评认证

  近日，华为联合EANTC（THE EUROPEAN ADVANCED NETWORKING TEST CENTER）正式启动数据中心网络ADN分级测评认证。

  2025-03-21
• 国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度

  1200V/40A，TO-247封装的SiC二极管来提高系统功率密度，本文主要讲到国产基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC，该器件可以和WOLFSPEED的C

  2022-09-29
• 国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度

  1200V/40A，TO-247封装的SiC二极管来提高系统功率密度，本文主要讲到国产基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC，该器件可以和WOLFSPEED的C

  2022-09-29
• 国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度

  1200V/40A，TO-247封装的SiC二极管来提高系统功率密度，本文主要讲到国产基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC，该器件可以和WOLFSPEED的C

  2022-09-29
• 华为解决自动驾驶的ADN问题领先一军 加速人工智能产业的发展

  ...场正式发布自动驾驶网络解决方案Autonomous Driving Network（ADN）和iMaster智能运维系列产品，助力电信业迈向以人工智能为核心的自治网络，通过开放架构“给网络以智能，给客户以平台”，加速运营商数字化转型。华为将持续创新...

  2019-10-30
• 国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度

  1200V/40A，TO-247封装的SiC二极管来提高系统功率密度，本文主要讲到国产基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC，该器件可以和WOLFSPEED的C

  2022-09-29

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