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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGH40N65UFDTU-F085 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-247-3LD | 59 | 点击下载 | |
| FGH40N65UFD_F085 650 V, 40 A Field Stop IGBT | 633 | 点击下载 | |
| PSPICE | UNKNOW | 2 | 点击下载 |
仁懋电子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、半桥式电子镇流器、LED
仁懋电子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
仁懋电子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性，广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域
仁懋电子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超级结技术的N沟道功率MOSFET，凭借650V耐压、低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS
TK49N65W5是由东芝设计的一款强大的N沟道MOSFET，专门为寻求高效能和可靠性电子设计的工程师量身定制。这款元件属于东芝的DTMOS系列，采用超级结结构，在开关电压调节器中表现出色。在本文
安森美 (onsemi) NXH600N65L4Q2F2 IGBT三电平NPC逆变器模块是一款功率模块，其中包含一个I型中性点钳位三电平逆变器。集成式场截止沟槽型IGBT和FRD可降低开关损耗和导
仁懋电子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及TO-220F封装适配性，适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器
| FLS6617 | FGB3245G2_F085 | FNB50560TD1 | FSL128MRT |
| FDH300A | FAN4800CU | FSV560 | FDMF6707B |
| FSB70450 | FSL137H | FAN103W | FSD146MRBN |
| FERD60M45C | FERD30SM100S | FAN2558 | FAN2500 |
| FAN3214T | FAN73611 | FCMT099N65S3 | FDMF6823C |
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