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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA50N100BNTDTU | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-3P-3LD / EIAJ SC-65, ISOLATED | 57 | 点击下载 | |
| FGA50N100BNTD-D.pdf | 348 | 点击下载 |
...公司与珠海博雅科技有限公司共同宣布，博雅科技研发的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海华力领先流片成功，现已成功量产。该产品是国内首颗50nm 256M NOR Flash，产品性能参数指标和国际一线品牌同类产品相比，达到同一水平...
仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
仁懋电子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
仁懋电子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借20V耐压、超低导通损耗及50A大电流承载能力，广泛适用于各类开关应用（如DC-DC转换器
在电力电子领域，场效应管（MOSFET）作为核心开关器件，其性能直接决定了整机系统的效率、可靠性与成本控制。ZK60N50T作为一款典型的N沟道功率MOSFET，凭借其优异的电气参数与稳定的工作特性
合科泰N沟道功率MOS管HKTD5N50采用经典N沟道结构，通过栅极电压精准调控漏源电流，兼具高压开关与功率转换核心功能。作为电压驱动型器件，其依托电场效应实现大电流高效控制，在电源管理、工业驱动、新能源等高压大电流场景中发挥关键作用。
N1015B 频率：100MHz 衰减比例：500:1，50：1 供电模式：电池、适配器供电 电压过载保护，可匹配任何厂牌示波器。 精度高达1%。 规格参数： 型号：N1015B 频宽
其实对于100W以上舞台灯光电源的半桥式电路，我们推荐使用2个FHP13N50W。毕竟FHP13N50W是可以替代13N50等MOS管的产品型号参数。
| FGA6530WDF | FFSP2065A | FIN1018 | FODM453 |
| FOD814 | FAN7171_F085 | FSV12100V | FYP2006DN |
| FSB137HL | FXL2TD245 | FL5150 | FPF2116 |
| FPF1107 | FJN3301R | FAN7554 | FDMF3037 |
| FLS3247 | FNB41060 | FAN256 | FQPF3N25 |
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