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FDZ193P

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 -20V P沟道1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET

制造商:ON

中文数据手册

产品信息

FDZ193P采用飞兆先进的1.7 V PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计,可最大限度地减小PCB空间和r
。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展,使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低r
融合为一体。
  • V
  • = -4.5V,I
  • = -1A时,r
  • = 90 mΩ(最大值)
  • V
  • = -2.5V,I
  • = -1A时,r
  • = 130 mΩ(最大值)
  • V
  • = -1.7V,I
  • = -1A时,最大r
  • = 300mΩ
  • 仅占1.5mm²的PCB空间,比2 x 2 BGA所占空间少50%
  • 超薄封装: 安装至PCB时,高度小于0.65 mm
  • 符合RoHS标准

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FDZ193P-- 立即购买

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WLCSP6 1.5x1x0.6PDF38 点击下载
FDZ193P-D.pdfPDF424 点击下载
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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