尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    首页产品索引CSD87502Q2

    CSD87502Q2

    购买收藏
    CSD87502Q2

    制造商:TI

    产品信息

    描述 CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型 应用。特性 低导通电阻 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装 针对 5V 栅极驱动器而优化 雪崩级 无铅且无卤素 符合 RoHS 环保标准应用范围用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护 电池保护 All trademarks are the property of their respective owners.

    电路图、引脚图和封装图

    在线购买

    型号制造商描述购买
    CSD87502Q2TICSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 立即购买
    CSD87502Q2TTICSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 立即购买

    应用案例更多案例

    系列产品索引查看所有产品

    CC2640CESD5V0APcd4051CAT5269
    C1608C0G1H220JC2012X7R1A106MCC1125CC2592
    CAT24C256CESD5V0D1C1005C0G1H330J050BACM1263-06DE
    CL8800CAV25640C1005X5R1V474K050BCC1608C0G1H102J
    CL525CPH5901CSD18509Q5BC8051F583-IM
    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照