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    CSD87502Q2

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    CSD87502Q2

    制造商:TI

    产品信息

    描述 CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型 应用。特性 低导通电阻 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装 针对 5V 栅极驱动器而优化 雪崩级 无铅且无卤素 符合 RoHS 环保标准应用范围用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护 电池保护 All trademarks are the property of their respective owners.

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    CSD87502Q2TICSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 立即购买
    CSD87502Q2TTICSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 立即购买

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