CSD25481F4

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P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4

制造商：TI

中文数据手册

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产品信息

描述这款 90mΩ，20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。特性超低导通电阻超低 Qg 和 Qgd 高运行漏极电流超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）1mm x 0.6mm超薄最大高度 0.35mm集成型静电放电 (ESD) 保护二极管额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)无铅且无卤素符合 RoHS 环保标准应用范围针对负载开关应用进行了优化针对通用开关应用进行了优化电池类应用手持式和移动类应用All trademarks are the property of their respective owners.

电路图、引脚图和封装图

CSD25481F4 封装图

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型号	制造商	描述	购买
CSD25481F4T	TI	CSD25481F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET	立即购买
CSD25481F4	TI	MOSFETs P-沟道 20V 2.5A PICOSTAR3	立即购买

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