优势和特点

  峰值输出电流：2 A (DSON)

  2.5 V至6.5 V输入

  4.5 V至35 V输出

  欠压闭锁(UVLO)：2.5 V VDD1

  VDD2上提供多个UVLO选项

  A级：VDD2上的UVLO：4.4 V（典型值）

  B级：VDD2上的UVLO：7.3 V（典型值）

  C级：VDD2上的UVLO：11.3 V（典型值）

  精密时序特性

  隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值）

  CMOS输入逻辑电平

  高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs

  工作结温最高可达：125°C

  默认低电平输出

  内部米勒箝位

  安全和法规认证（申请中）

  UL认证符合UL 1577

  1分钟5 kV rms，SOIC长封装

  CSA元件验收通知5A

  符合VDE标准证书（申请中）

  DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12

  VIORM = 849 V峰值

  8引脚宽体SOIC封装

产品详情

ADuM4121/ADuM4121-1为2 A隔离式、单通道驱动器，采用ADI公司的iCoupler®技术提供精密隔离。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔离，采用8引脚宽体SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。

ADuM4121/ADuM4121-1采用2.5 V至6.5 V输入电压工作，可与较低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4121/ADuM4121-1的输入与输出之间具有真电气隔离优势。

ADuM4121/ADuM4121-1集成内部米勒箝位，在2 V时可在栅极驱动输出的下降沿上激活，提供具有较低阻抗路径的驱动栅极，以减少米勒电容感应导通的可能性。

有很多选项可用于热关断使能或禁用。因此，ADuM4121/ADuM4121-1可在各种开关电压范围内对绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性进行可靠控制。

应用

  开关电源

  隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器

  工业逆变器

  氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)功率器件