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制造商：ADI/AD
优势和特点
低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）
无需外部电容
低温度系数A级： 10 ppm/℃（最大值）B级： 3 ppm/℃（最大值）
负载调整率： 15 ppm/mA
线性调整率： 20 ppm/V
欲了解更多特性，请参考数据手册
ADR434-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）下载 ADR434-EP数据手册 (pdf)
军用温度范围（−55 ℃至+125 ℃）
受控制造基线
唯一封装/测试厂
唯一制造厂
增强型产品变更通知
认证数据可应要求提供
产品详情
ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
ADR434-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）
应用
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光学控制电
精密仪器
ADR434 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR434TRZ-EP-R7 | - | - | 立即购买 |
| ADR434TRZ-EP | - | - | 立即购买 |
| ADR434BRZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR434BRZ | - | - | 立即购买 |
| ADR434ARZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR434ARZ | - | - | 立即购买 |
本系统采用TI公司生产的TMS320VC54X系列DSP作为核心控制器件，并采用Cypress工司生产的CY7C1021V（64K16位RAM）来扩充DSP的外部数据存储空间。在DSP与ADC及RAM之间的数据接口加入74LVC16245（16位总线变换器）以增加DSP的驱动能力，并用来...
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
同学们在学习ARM指令时，多数都会对adr和ldr这两个命令产生疑惑，那他们究竟有什么区别呢？
ADR34xx系列器件均为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。 为实现高精度，在最终组装阶段，利用A
ARM伪指令之地址读取：ADR ADRL LDR 1、ADR伪指令--- 小范围的地址读取 ADR伪指令将基于P
篇应用笔记给出了将MAX2640低噪声放大器(LNA)调谐于433MHz的RF匹配电路。输入回波损耗、增益和输出回波损耗的结果被绘制成曲线图。增益为16.75dB，输入回波损耗为-7.6dB，输出回波损
摘要：给出了一种基于MC33591/MC33592设计的315MHz/434MHz OOK/FSK接收电路，该电路的数据速率为１～11kbaud,OOK/FSK灵敏度为－105dBm，最快唤醒时间为１ｍｓ，电源电压为：VGND
ADI全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出了具有业界最高动态范围和集成度的正交解调器 ADRF6806 和 ADRF6807 ,适合蜂窝通信基础设施和微波点对点无线电等多种宽带通信应
| ADG812 | AD7843 | AQW210S | AT89C51RD2-RLTUM |
| ADN2818 | ADG1407 | ADM6322 | AD9523-1 |
| ADC128S102QML-SP | ADuM151N | ADM8660 | AD7796 |
| ADR3440 | ADA4922-1ARDZ | AD822 | ADAU1962 |
| ADM4855 | ADS8508 | ADM6339 | ADGS1212 |
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