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制造商：ADI/AD
优势和特点
4通道、14位、250 MSPS ADC：无杂散动态范围(SFDR)：83 dBc（87 MHz输入）
双通道、14位、500 MSPS DAC：SFDR = 75 dBc（20 MHz输出）
片内PLL时钟频率合成器
低功耗：1536 mW、1 GHz主时钟，片内频率合成器
500 MHz双通道数据速率(DDR)
用于DAC和ADC的LVDS接口
12 mm × 12 mm无引脚小型BGA封装
产品详情
AD9993是一款混合信号前端(MxFE®)器件，集成四个14位ADC和两个14位DAC。 图1显示了该MxFE的框图。 通过串行外设接口(SPI)访问寄存器，可对MxFE编程。 ADC和DAC数据路径包括FIFO缓冲器，可吸收LVDS通道时钟与数据转换器采样时钟之间的相位差。MxFE DAC属于ADI公司高速CMOS DAC内核系列产品。 这些DAC设计用于宽带宽通信系统发送器(Tx)信号链。
MxFE ADC是多级流水线式CMOS ADC内核，设计用于通信接收器中。
应用
点对点微波回程无线电
无线中继器
AD9993 引脚图
AD9993电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AD9993BBCZRL | - | - | 立即购买 |
| AD9993BBCZ | - | - | 立即购买 |
锂离子电池由正极材料、负极材料、电解液和隔膜4个部分组成，图1为锂离子电池的工作原理以及结构示意图。 该隔膜是一种具有微孔结构的功能膜材料，厚度一般为8～40μm，在电池体系中起着分隔正负极、阻隔充放电时电路中电子通过、允许电解液中锂离子自由通过的作用，可在电池充放电或温度升高的情况下有选择地闭合微孔，以限制过大电流、防止短路，其性能的优劣直接决定了电池的整体性能。
近日，西安交通大学电信学部电子科学与工程学院周迪教授团队通过优化MXene的制备工艺，经刻蚀-剥离-梯度离心三步法研发了一种高单层比、大尺寸且粒径分布窄的MXene分散液
Efinity在Debug时会出现UUID mismatch错误。很多刚开始使用的人经常遇到。
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”） 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ，才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。
可靠的汽车技术和传感器的进步，包括外部雷达、摄像头和传感器融合，有助于推动ADAS、车辆连接和移动服务的发展。
结合 FOWLP 近期技术发展和 应用的现状, 总结了发展趋势; 从 FOWLP 结构的工艺缺陷和失效模式出发, 阐述了 FOWLP 的工艺流程和重点工艺环节。
APEXLINEARPSPICE.ZIP 和 APEXLINEARBERKELEY.ZIP这两个压缩文件包含适用于两种模拟器的一些需要不同语法的模型的文本文件。INTUSOFTSYMBOLS 文件是 .zip 存档文件，其中包含部分专属于 Intusoft 的符号文件集合。TOPSPICESYMBOLS 是 TopSPICE 符号的完整集合。
荷兰实施半导体出口管制 ASML光刻机DUV系统需要许可证 芯片战愈演愈烈。荷兰正式实施半导体出口管制条款，这将对光刻机巨头阿斯麦（ASML）产生更多影响。ASML的EUV光刻系统在此前已经受到限制不允许出口到我国，现在对于其他的光刻系统也加以限制，比如沉积设备和浸润式光刻系统。 新的出口管制条例将于2023年9月1日生效。美欲扩大对华芯片限制的野心暴露无疑，对ASML的限制从最开始先进的EUV光刻技术逐步扩大到了DUV技术；基本就是限制了ASML公司
| ADF4113HV | ADM812 | ADA4320-1 | ADG734 |
| ADUM1245 | AD5310 | AD8117 | AD820 |
| ADUM1201BRZ-RL7 | ADSP-BF609 | ADDI7100 | ADM6339 |
| ADC12130 | AD5371 | ADP222 | AD7153 |
| AD8079 | ADD8504 | AD813 | ADUC7022 |
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